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1. (WO2018035331) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À JONCTION TUNNEL AU NITRURE III DOTÉE D'UNE EFFICACITÉ DE PRISE MURALE SUPÉRIEURE À SOIXANTE POUR CENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/035331    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047358
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
H01L 31/00 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventeurs : YONKEE, Benjamin P.; (US).
YOUNG, Erin C.; (US).
SPECK, James S.; (US).
DENBAARS, Steven P.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : SERAPIGLIA, Gerard B.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/376,218 17.08.2016 US
Titre (EN) III-NITRIDE TUNNEL JUNCTION LIGHT EMITTING DIODE WITH WALL PLUG EFFICIENCY OF OVER SEVENTY PERCENT
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À JONCTION TUNNEL AU NITRURE III DOTÉE D'UNE EFFICACITÉ DE PRISE MURALE SUPÉRIEURE À SOIXANTE POUR CENT
Abrégé : front page image
(EN)A III-Nitride LED which utilizes n-type III-Nitride layers for current spreading on both sides of the device. A multilayer dielectric coating is used underneath the wire bond pads, both LED contacts are deposited in one step, and the p-side wire bond pad is moved off of the mesa. The LED has a wall plug efficiency or External Quantum Efficiency (EQE) over 70%, a fractional EQE droop of less than 7% at 20 A/cm2 drive current and less than 15% at 35 A/cm2 drive current. The LEDs can be patterned into an LED array and each LED can have an edge dimension of between 5 and 50 µm. The LED emission wavelength can be below 400 nm and aluminum can be added to the n-type III-Nitride layers such that the bandgap of the n-type III-nitride layers is larger than the LED emission photon energy.
(FR)L'invention concerne une DEL au nitrure III qui utilise des couches de nitrure III de type n pour un étalement d'intensité de courant des deux côtés du dispositif. Un revêtement diélectrique multicouche est utilisé sous les plages de contact de fil, les deux contacts de DEL sont déposés en une étape, et la plage de contact de fil côté p est déplacée hors du mesa. La DEL présente une efficacité de prise murale ou une efficacité quantique externe (EQE) supérieure à 70 %, un statisme d'EQE fractionnaire inférieur à 7 % à un courant d'attaque de 20 A/cm2 et inférieur à 15 % à un courant d'attaque de 35 A/cm2. Les DEL peuvent être configurées en un réseau de DEL et chaque DEL peut avoir une dimension de bord comprise entre 5 et 50 µm. La longueur d'onde d'émission de DEL peut être inférieure à 400 nm et de l'aluminium peut être ajouté aux couches de nitrure III de type n de telle sorte que la bande interdite des couches de nitrure III de type n est supérieure à l'énergie de photons d'émission de DEL.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)