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1. (WO2018035324) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE JONCTION À EFFET TUNNEL À BASE DE NITRURE III
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N° de publication :    WO/2018/035324    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047346
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventeurs : YONKEE, Benjamin P.; (US).
MUGHAL, Asad J.; (US).
HWANG, David; (US).
YOUNG, Erin C.; (US).
SPECK, James S.; (US).
DENBAARS, Steven P.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : SERAPIGLIA, Gerard B.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/376,307 17.08.2016 US
62/376,201 17.08.2016 US
62/414,385 28.10.2016 US
62/491,493 28.04.2017 US
Titre (EN) METHODS FOR FABRICATING III-NITRIDE TUNNEL JUNCTION DEVICES
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE JONCTION À EFFET TUNNEL À BASE DE NITRURE III
Abrégé : front page image
(EN)A physical vapor deposition (e.g., sputter deposition) method for III-nitride tunnel junction devices uses metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to grow one or more light-emitting or light-absorbing structures and electron cyclotron resonance (ECR) sputtering to grow one or more tunnel junctions. In another method, the surface of the p-type layer is treated before deposition of the tunnel junction on the p-type layer. In yet another method, the whole device (including tunnel junction) is grown using MOCVD and the p-type layers of the III-nitride material are reactivated by lateral diffusion of hydrogen through mesa sidewalls in the III-nitride material, with one or more lateral dimensions of the mesa that are less than or equal to about 200 µm. A flip chip display device is also disclosed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt physique en phase vapeur (par exemple, un dépôt par pulvérisation cathodique) destiné à des dispositifs de jonction à effet tunnel à base de nitrure III qui utilise un dépôt chimique en phase vapeur d'organométalliques (MOCVD) pour faire croître une ou plusieurs structures électroluminescentes ou à absorption lumineuse et une pulvérisation par résonance cyclotronique électronique (ECR) pour faire croître une ou plusieurs jonctions à effet tunnel. Dans un autre procédé, la surface de la couche de type p est traitée avant le dépôt de la jonction à effet tunnel sur la couche de type p. Dans encore un autre procédé, l'ensemble du dispositif (y compris la jonction à effet tunnel) est mis en croissance en faisant appel à un MOCVD et les couches de type p du matériau à base de nitrure III sont réactivées par une diffusion latérale d'hydrogène à travers les parois latérales mésa dans le matériau à base de nitrure III, une ou plusieurs dimensions latérales du mesa étant inférieures ou égales à environ 200 µm. L'invention concerne également un dispositif d'affichage à puce retournée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)