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1. (WO2018035226) AMÉLIORATION DE PROCÉDÉ UTILISANT UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL DOUBLE FACE
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N° de publication :    WO/2018/035226    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047148
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : SALZMAN, James, Fred; (US).
SUCHER, Bradley, David; (US)
Mandataire : DAVIS JR., Michael A.; (US)
Représentant
commun :
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
15/238,445 16.08.2016 US
Titre (EN) PROCESS ENHANCEMENT USING DOUBLE SIDED EPITAXIAL ON SUBSTRATE
(FR) AMÉLIORATION DE PROCÉDÉ UTILISANT UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL DOUBLE FACE
Abrégé : front page image
(EN)In described examples of semiconductor devices and fabrication methods to fabricate semiconductor wafers and integrated circuits, a method (300) includes forming (304) a first epitaxial semiconductor layer of a first conductivity type on a first side of a semiconductor substrate of the first conductivity type, forming (306) a nitride or oxide protection layer on a top side of the first epitaxial semiconductor layer, forming (310) a second epitaxial semiconductor layer of the first conductivity type on the second side of the semiconductor substrate, and removing (314) the protection layer from the first epitaxial semiconductor layer. The wafer can be used to fabricate an integrated circuit by forming (316) transistors at least partially on the first epitaxial semiconductor layer.
(FR)Dans des exemples de l'invention de dispositifs à semi-conducteur et de procédés de fabrication permettant de fabriquer des tranches de semi-conducteur et des circuits intégrés, un procédé (300) consiste à former (304) une première couche semi-conductrice épitaxiale d'un premier type de conductivité sur un premier côté d'un substrat semi-conducteur du premier type de conductivité, à former (306) une couche de protection de nitrure ou d'oxyde sur un côté supérieur de la première couche semi-conductrice épitaxiale, à former (310) une seconde couche semi-conductrice épitaxiale du premier type de conductivité sur le second côté du substrat semi-conducteur, et à retirer (314) la couche de protection de la première couche semi-conductrice épitaxiale. La tranche peut être utilisée pour fabriquer un circuit intégré par formation (316) de transistors au moins partiellement sur la première couche semi-conductrice épitaxiale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)