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1. (WO2018035120) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE MÉTAL D’ÉLÉMENTS ÉVIDÉS DANS UN SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/035120 N° de la demande internationale : PCT/US2017/046936
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 15.08.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs : YU, Kai-Hung; US
TAPILY, Kandabara N.; US
LEUSINK, Gerrit J.; US
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; US
Données relatives à la priorité :
62/375,85416.08.2016US
Titre (EN) METHOD OF METAL FILLING RECESSED FEATURES IN A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE MÉTAL D’ÉLÉMENTS ÉVIDÉS DANS UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN) A method of void-less metal filling of recessed features in a substrate is provided. The method includes providing a substrate containing recessed features therein, and filling the recessed features with a metal, where the metal is deposited in the recessed features by gas phase deposition at substrate temperature and a gas pressure that promotes bottom-up void-less filling. According to one embodiment, the metal is selected from the group consisting of Ru, Rh, Os, Pd, Ir, Pt, Ni, Co, W, and a combination thereof.
(FR) L'invention concerne un procédé de remplissage métallique sans vide d’éléments évidés dans un substrat. Le procédé comprend la fourniture d'un substrat contenant des éléments évidées à l'intérieur de celui-ci, et le remplissage des éléments évidés avec un métal, le métal étant déposé dans les éléments évidés par dépôt en phase gazeuse à la température du substrat et une pression de gaz qui favorise le remplissage sans vide de fond. Selon un mode de réalisation, le métal est choisi dans le groupe constitué par Ru, Rh, Os, Pd, Ir, Pt, Ni, Co, W, et une combinaison de ceux-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)