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1. (WO2018034840) CROISSANCE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR D'UNE COUCHE TAMPON DE NITRURE À HAUTE RÉSISTIVITÉ À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
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N° de publication :    WO/2018/034840    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045010
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventeurs : HWANG, Kiuchul; (US).
SCHULTZ, Brian, D.; (US).
KERR, Amanda; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; (US).
ROBINSON, Kermit; (US).
DURKEE, Paul, D.; (US).
MILMAN, Seth, A.; (US).
MOOSEY, Anthony, T.; (US).
DALY, Christopher, S.; (US).
CROOKER, Albert, C.; (US).
CROWLEY, Judith, C.; (US).
DOWNING, Marianne, M.; (US).
WHITE, James, M.; (US).
FLINDERS, Matthew; (US).
ROUILLE, David, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/376,722 18.08.2016 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL GROWTH OF A HIGH RESISTIVITY NITRIDE BUFFER LAYER USING ION IMPLANTATION
(FR) CROISSANCE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR D'UNE COUCHE TAMPON DE NITRURE À HAUTE RÉSISTIVITÉ À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method includes providing a single crystal substrate having a buffer layer on a surface of the substrate. The buffer layer provides a transition between the crystallographic lattice structure of the substrate and the crystallographic lattice structure of the semiconductor layer and has its resistivity increased by ion implanting a dopant into the buffer layer; and forming semiconductor layer on the ion implanted buffer layer. The semiconductor layer may be a wide bandgap semiconductor layer having a high electron mobility transistors formed therein.
(FR)Un procédé consiste à utiliser un substrat monocristallin ayant une couche tampon sur une surface du substrat. La couche tampon assure une transition entre la structure de réseau cristallographique du substrat et la structure de réseau cristallographique de la couche semi-conductrice et a sa résistivité augmentée par l'implantation ionique d'un dopant dans la couche tampon; et la formation d'une couche semi-conductrice sur la couche tampon à implantation ionique. La couche semi-conductrice peut être une couche semi-conductrice à large bande interdite ayant des transistors à haute mobilité d'électrons formés en son sein.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)