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1. (WO2018034840) CROISSANCE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR D'UNE COUCHE TAMPON DE NITRURE À HAUTE RÉSISTIVITÉ À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
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N° de publication : WO/2018/034840 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045010
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Inventeurs :
HWANG, Kiuchul; US
SCHULTZ, Brian, D.; US
KERR, Amanda; US
Mandataire :
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROOKER, Albert, C.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
WHITE, James, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
ROUILLE, David, W.; US
Données relatives à la priorité :
62/376,72218.08.2016US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL GROWTH OF A HIGH RESISTIVITY NITRIDE BUFFER LAYER USING ION IMPLANTATION
(FR) CROISSANCE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR D'UNE COUCHE TAMPON DE NITRURE À HAUTE RÉSISTIVITÉ À L'AIDE D'UNE IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé :
(EN) A method includes providing a single crystal substrate having a buffer layer on a surface of the substrate. The buffer layer provides a transition between the crystallographic lattice structure of the substrate and the crystallographic lattice structure of the semiconductor layer and has its resistivity increased by ion implanting a dopant into the buffer layer; and forming semiconductor layer on the ion implanted buffer layer. The semiconductor layer may be a wide bandgap semiconductor layer having a high electron mobility transistors formed therein.
(FR) Un procédé consiste à utiliser un substrat monocristallin ayant une couche tampon sur une surface du substrat. La couche tampon assure une transition entre la structure de réseau cristallographique du substrat et la structure de réseau cristallographique de la couche semi-conductrice et a sa résistivité augmentée par l'implantation ionique d'un dopant dans la couche tampon; et la formation d'une couche semi-conductrice sur la couche tampon à implantation ionique. La couche semi-conductrice peut être une couche semi-conductrice à large bande interdite ayant des transistors à haute mobilité d'électrons formés en son sein.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)