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1. (WO2018034818) MOSFET DE PUISSANCE AYANT UN CANAL PLAN, UN TRAJET DE COURANT VERTICAL ET UNE ÉLECTRODE DE DRAIN SUPÉRIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/034818    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/044232
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 27.07.2017
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 181 Metro Drive Suite 590 San Jose, California 95110 (US)
Inventeurs : ZENG, Jun; (US).
DARWISH, Mohamed N.; (US).
PU, Kui; (CN).
SU, Shih-Tzung; (TW)
Mandataire : OGONOWSKY, Brian D.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/240,831 18.08.2016 US
Titre (EN) POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL, VERTICAL CURRENT PATH, AND TOP DRAIN ELECTRODE
(FR) MOSFET DE PUISSANCE AYANT UN CANAL PLAN, UN TRAJET DE COURANT VERTICAL ET UNE ÉLECTRODE DE DRAIN SUPÉRIEURE
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, a power MOSFET cell includes an N+ silicon substrate having a drain electrode. An N-type drift layer is grown over the substrate. An N-type layer, having a higher dopant concentration than the drift region, is then formed along with a trench having sidewalls. A P-well is formed in the N-type layer, and an N+ source region is formed in the P-well. A gate is formed over the P-well' s lateral channel and has a vertical extension into the trench. A positive gate voltage inverts the lateral channel and increases the vertical conduction along the sidewalls to reduce on-resistance. A vertical shield field plate is also located next to the sidewalls and may be connected to the gate. The field plate laterally depletes the N-type layer when the device is off to increase the breakdown voltage. A buried layer and sinker enable the use of a topside drain electrode.
(FR)dans un mode de réalisation, l'invention concerne une cellule MOSFET de puissance comportant un substrat de silicium N+ possédant une électrode de drain. Une couche de dérive de type N est développée sur le substrat. Une couche de type N, possédant une concentration de dopant plus importante que la région de dérive, est ensuite formée ainsi qu'une tranchée ayant des parois latérales. Un puits P est formé sur la couche de type N, et une région source N+ est formée dans le puits P. Une grille est formée sur le canal latéral de puits P et a une extension verticale dans la tranchée. Une tension de grille positive inverse le canal latéral et augmente la conduction verticale le long des parois latérales afin de réduire la résistance. Une plaque de champ de blindage vertical est également située à côté des parois latérales et peut être reliée à la porte. La plaque de champ appauvrit latéralement la couche de type N lorsque le dispositif est éteint pour augmenter la tension de claquage. Une couche enterrée et une platine permettent l'utilisation d'une électrode de drain supérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)