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1. (WO2018034818) MOSFET DE PUISSANCE AYANT UN CANAL PLAN, UN TRAJET DE COURANT VERTICAL ET UNE ÉLECTRODE DE DRAIN SUPÉRIEURE

Pub. No.:    WO/2018/034818    International Application No.:    PCT/US2017/044232
Publication Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/739
H01L 29/06
H01L 29/08
H01L 29/10
H01L 29/40
H01L 29/423
Applicants: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.
Inventors: ZENG, Jun
DARWISH, Mohamed N.
PU, Kui
SU, Shih-Tzung
Title: MOSFET DE PUISSANCE AYANT UN CANAL PLAN, UN TRAJET DE COURANT VERTICAL ET UNE ÉLECTRODE DE DRAIN SUPÉRIEURE
Abstract:
dans un mode de réalisation, l'invention concerne une cellule MOSFET de puissance comportant un substrat de silicium N+ possédant une électrode de drain. Une couche de dérive de type N est développée sur le substrat. Une couche de type N, possédant une concentration de dopant plus importante que la région de dérive, est ensuite formée ainsi qu'une tranchée ayant des parois latérales. Un puits P est formé sur la couche de type N, et une région source N+ est formée dans le puits P. Une grille est formée sur le canal latéral de puits P et a une extension verticale dans la tranchée. Une tension de grille positive inverse le canal latéral et augmente la conduction verticale le long des parois latérales afin de réduire la résistance. Une plaque de champ de blindage vertical est également située à côté des parois latérales et peut être reliée à la porte. La plaque de champ appauvrit latéralement la couche de type N lorsque le dispositif est éteint pour augmenter la tension de claquage. Une couche enterrée et une platine permettent l'utilisation d'une électrode de drain supérieure.