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1. (WO2018034531) ÉLÉMENT DESTINÉ À LA FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR SIC, COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE COUCHES À TRANSMITTANCES DIFFÉRENTES, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/034531    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/009001
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 18.08.2017
CIB :
H01L 29/24 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TOKAI CARBON KOREA CO., LTD [KR/KR]; 71, Gaejeongsaneopdanji-ro, Miyang-myeon Anseong-si Gyeonggi-do 17602 (KR)
Inventeurs : KIM, Joung Il; (KR)
Mandataire : MUHANN PATENT & LAW FIRM; (Myeonglim Building, Nonhyeon-dong) 5th Floor, 9 Hakdong-ro 3-gil Gangnam-gu Seoul 06044 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0104727 18.08.2016 KR
10-2017-0104300 17.08.2017 KR
Titre (EN) COMPONENT FOR FABRICATING SIC SEMICONDUCTOR, HAVING PLURALITY OF LAYERS HAVING DIFFERENT TRANSMITTANCES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DESTINÉ À LA FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR SIC, COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE COUCHES À TRANSMITTANCES DIFFÉRENTES, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SIC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)Provided according to an embodiment of the present invention is a component for fabricating an SiC semiconductor, having a plurality of layers having different transmittances, the component comprising two or more superposed layers, wherein each of the superposed layers contains SiC and has a transmittance value different from that of another adjacent layer.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un élément destiné à la fabrication d'un semi-conducteur SiC, comprenant une pluralité de couches à différentes transmittances et au moins deux couches superposées, chaque couche superposée contenant du SiC et possédant une valeur de transmittance différente de la valeur de transmittance d'une autre couche adjacente.
(KO)본 발명의 일 실시예에 따르면, 둘 이상의 적층된 층을 포함하고, 상기 적층된 층의 각 층은 SiC를 포함하고, 인접한 다른 층과 서로 다른 투과도 값을 갖는 것인, 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품이 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)