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1. (WO2018034179) FILM BARRIÈRE AU GAZ AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE MUNI DE CE FILM BARRIÈRE AU GAZ
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N° de publication : WO/2018/034179 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028535
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
C23C 14/08 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 14/02 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC.[JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
Inventeurs : MORI, Takahiro; JP
Mandataire : KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16027718.08.2016JP
Titre (EN) GAS BARRIER FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH SAME
(FR) FILM BARRIÈRE AU GAZ AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE MUNI DE CE FILM BARRIÈRE AU GAZ
(JA) ガスバリアー性膜、その製造方法及びそれを具備した電子デバイス
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of providing a gas barrier film whereby gas barrier properties per unit thickness are enhanced relative to a gas barrier film in which a silicon compound is used, a method for manufacturing the gas barrier film, and an electronic device provided with the gas barrier film. This gas barrier film contains silicon (Si) and an element M in group 5 of the long-form periodic table, the gas barrier film being characterized by having an Si-M bond.
(FR) L’invention a pour objet de fournir un film barrière au gaz ainsi qu’un procédé de fabrication de celui-ci, et un dispositif électronique muni de ce film barrière au gaz dont les propriétés de barrière au gaz par unité d’épaisseur sont améliorées, en comparaison avec un film barrière au gaz lorsqu’un composé de silicium est mis en œuvre. Le film barrière au gaz de l’invention comprend un silicium (Si), et un élément M du cinquième groupe du tableau périodique des éléments sous sa forme complète, et est caractéristique en ce qu’il possède une liaison Si-M.
(JA) 本発明の課題は、ケイ素化合物を用いたときのガスバリアー性膜よりも、単位厚さ当たりのガスバリアー性を向上させたガスバリアー性膜、その製造方法及びそれを具備した電子デバイスを提供することである。 本発明のガスバリアー性膜は、ケイ素(Si)と長周期型周期表の第5族の元素Mとを含有するガスバリアー性膜であって、前記ガスバリアー性膜が、Si-M結合を有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)