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1. (WO2018034092) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/034092    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/025738
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 14.07.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventeurs : KUROGI Syogo; (JP)
Mandataire : MATSUO Kenichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-160806 18.08.2016 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器
Abrégé : front page image
(EN)To reduce the likelihood of a decrease in image quality in a solid-state imaging element such as a backside-illuminated CMOS image sensor, etc. A solid-state imaging element, provided with: a semiconductor substrate in which a plurality of pixels, each having a photoelectric conversion unit, are arranged along the planar direction; and a wiring layer formed by lamination on the surface, on the opposite side from a light entry surface, of the semiconductor substrate. The wiring layer includes a structural body having a reflection surface for reflecting light entering from the side of the semiconductor substrate towards the semiconductor substrate. The plurality of pixels has a periodic structure in which one or a plurality of pixels form the smallest units. In the structural body, there is no regularity to the reflection surface coverage ratio in each of the pixels with regards to a plurality of pixels included in a unit region greater than the smallest units.
(FR)Pour réduire la probabilité d'une diminution de la qualité d'image dans un élément d'imagerie à semi-conducteurs tel qu'un capteur d'image CMOS éclairé par l'arrière, etc., un élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend : un substrat semi-conducteur dans lequel une pluralité de pixels, ayant chacun une unité de conversion photoélectrique, sont agencés le long de la direction plane; et une couche de câblage formée par stratification sur la surface, sur le côté opposé à une surface d'entrée de lumière, du substrat semi-conducteur. La couche de câblage comprend un corps structural ayant une surface de réflexion pour réfléchir la lumière entrant depuis le côté du substrat semi-conducteur vers le substrat semi-conducteur. La pluralité de pixels a une structure périodique dans laquelle un ou une pluralité de pixels forment les plus petites unités. Dans le corps structural, il n'y a pas de régularité du rapport de couverture de surface de réflexion dans chacun des pixels par rapport à une pluralité de pixels inclus dans une région unitaire supérieure aux unités les plus petites.
(JA)裏面照射型のCMOSイメージセンサ等の固体撮像素子において、画質が低下する蓋然性を低下させる。 各々が光電変換部を有する複数の画素が面方向に沿って並設された半導体基板と、前記半導体基板の光入射面と反対側の面に積層形成された配線層と、を備え、前記配線層は、前記半導体基板の側から入射する光を前記半導体基板へ反射する反射面を有する構造物を含み、複数の前記画素は、1又は複数の画素を最小単位とする周期構造を有し、前記構造物は、前記最小単位より広い単位領域が含む複数の画素について、各画素における前記反射面のカバレッジ率に規則性を有さない、固体撮像素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)