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1. (WO2018033860) ÉLECTRODE DE TRANSMISSION DE LUMIÈRE POUR DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/033860    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/054970
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 15.08.2017
CIB :
H01L 51/54 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01)
Déposants : OTI LUMIONICS INC. [CA/CA]; 100 College Street, Unit 351 Toronto, M5G 1L5 (CA).
CHANG, Yi-Lu [CA/CA]; (CA).
WANG, Qi [CA/CA]; (CA).
HELANDER, Michael [CA/CA]; (CA).
QIU, Jacky [CA/CA]; (CA).
WANG, Zhibin [CA/CA]; (CA)
Inventeurs : CHANG, Yi-Lu; (CA).
WANG, Qi; (CA).
HELANDER, Michael; (CA).
QIU, Jacky; (CA).
WANG, Zhibin; (CA)
Données relatives à la priorité :
62/521,497 18.06.2017 US
62/375,223 15.08.2016 US
Titre (EN) LIGHT TRANSMISSIVE ELECTRODE FOR LIGHT EMITTING DEVICES
(FR) ÉLECTRODE DE TRANSMISSION DE LUMIÈRE POUR DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS
Abrégé : front page image
(EN)An opto-electronic device includes: (1) a first electrode; (2) at least one semiconductor layer disposed over the first electrode, the semiconductor layer including an emissive layer; and (3) a second electrode disposed over the semiconductor layer. The second electrode includes a fullerene-containing magnesium alloy which includes a non-zero amount of a fullerene of up to about 15 vol.% of the fullerene, and the second electrode has a thickness of about 50 nm or less.
(FR)Un dispositif optoélectronique comprend : (1) une première électrode; (2) au moins une couche semi-conductrice disposée sur la première électrode, la couche semi-conductrice comprenant une couche émissive; et (3) une seconde électrode disposée sur la couche semi-conductrice. La seconde électrode comprend un alliage de magnésium contenant du fullerène qui comprend une quantité non nulle d'un fullerène allant jusqu'à environ 15 % en volume.% Du fullerène, et la seconde électrode a une épaisseur d'environ 50 nm ou moins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)