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1. (WO2018032977) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE DESTINÉ À UNE BATTERIE AU LITHIUM-ION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/032977    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/095832
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01M 4/36 (2006.01)
Déposants : XIFENG 2D (FUJIAN) MATERIAL TECHNOLOGY COMPANY LTD [CN/CN]; Dongjing No.2 Road Dongyuan, Tanwannes Investment Zone Quanzhou, Fujian 362000 (CN)
Inventeurs : XU, Zhi; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610669058.4 15.08.2016 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF NEGATIVE-ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM-ION BATTERY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE DESTINÉ À UNE BATTERIE AU LITHIUM-ION
(ZH) 一种锂离子电池负极材料的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method of a negative-electrode material for a lithium-ion battery, the manufacturing method thereof comprising the following steps: growing silicon nanospheres on a graphene surface to form a graphene/silicon nanoshpere composite material; sugar-coating the graphene/silicon nanosphere composite material; and carbonizing the sugar-coated graphene/silicon nanosphere composite material to form a composite material of carbon/graphene/silicon nanospheres. The manufacturing method of the present invention is simple and has a high production yield rate. The silicon nanospheres are miniature and uniform, and combined with graphene, thus effectively reducing silicon volume expansion caused by delithiation during a charging-discharging process, lowering an internal stress of an electrode, and preventing damage caused by over-expansion of silicon spheres.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau d'électrode négative destiné à une batterie au lithium-ion, ledit procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes consistant : à augmenter des nanosphères de silicium sur une surface de graphène afin de former un matériau composite de graphène/nanoshpères de silicium; à enrober le matériau composite de graphène/nanosphères de silicium; et à carboniser le matériau composite de graphène/nanosphères de silicium enrobé pour former un matériau composite de carbone/graphène/nanosphères de silicium. Le procédé de la présente invention est simple, et présente un taux de rendement très élevé. Les nanosphères de silicium sont miniatures et uniformes, et sont combinées à du graphène, ce qui permet de réduire efficacement l'expansion du volume de silicium provoquée par la délithiation pendant un processus de charge-décharge, de diminuer une contrainte interne d'une électrode, et d'éviter la détérioration provoquée par une expansion excessive des sphères de silicium.
(ZH)一种锂离子电池负极材料的制备方法,其制备方法包括如下步骤:在石墨烯表面生长纳米硅球,形成石墨烯/纳米硅复合材料;对石墨烯/纳米硅复合材料进行包糖处理;对包糖处理后的石墨烯/纳米硅复合材料进行碳化处理,形成碳/石墨烯/纳米硅球复合材料。该制备方法简单,生产良率高,纳米硅球尺寸小且均匀,与石墨烯相互结合,能有效减少在充放电过程中脱嵌锂引起的硅自身的体积膨胀,减少电极内部应力,避免硅球过度膨胀而损坏。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)