WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018032874) FILM MINCE ÉLECTRIQUEMENT CONDUCTEUR TRANSPARENT AUX UV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/032874 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089370
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 21.06.2017
CIB :
C30B 25/18 (2006.01) ,C30B 25/08 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : FOSHAN RESEARCH INSTITUTE OF SUN YAT-SEN UNIVERSITY[CN/CN]; 3rd Floor, Chongxian Building Software Park, Nanhai District Foshan, Guangdong 528222, CN
SUN YAT-SEN UNIVERSITY[CN/CN]; No.135 Xingang West Road, Haizhu District Guangzhou, Guangdong 510275, CN
Inventeurs : WANG, Gang; CN
ZHUO, Yi; CN
CHEN, Zimin; CN
FAN, Bingfeng; CN
MA, Xuejin; CN
LI, Jian; CN
Mandataire : GUANGZHOU SHENGLIHUA-IP AGENT LTD.; Room 7010 and 7016, Building A2 No.251 Letian Creative Park Kehua Street, Wu Shan, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640, CN
Données relatives à la priorité :
201610683667.517.08.2016CN
201710195510.229.03.2017CN
Titre (EN) ULTRAVIOLET-TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FILM MINCE ÉLECTRIQUEMENT CONDUCTEUR TRANSPARENT AUX UV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 一种紫外透明导电薄膜及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN) An indium oxide base transparent electrically conductive thin film, comprising a seed layer and a main body layer attached in sequence to a side surface of a substrate material. The manufacturing method for the present indium oxide base transparent electrically conductive thin film mainly employs a metal-organic chemical vapour deposition method, using organometallic trimethyl indium as the indium source, high purity oxygen as the oxygen source, and tetra (dimethylamino) tin as the doping source, and specifically comprising the following steps: preprocessing the substrate material; growing the seed layer; and growing the main body layer. The indium oxide base transparent electrically conductive thin film acquired using the present indium oxide base transparent electrically conductive thin film manufacturing method has excellent conductivity; the spectral transmission region thereof extends to the deep ultraviolet band with an optical band gap of 4.1-4.6 eV; the surface morphology thereof can be precisely controlled; and the thin film is suitable for use as a near ultraviolet-deep ultraviolet band transparent electrically conductive thin film.
(FR) L'invention concerne un film mince électriquement conducteur transparent, à base d'oxyde d'indium, comprenant une couche germe et une couche de corps principal fixées dans cet ordre à une surface latérale d'un matériau de substrat. Le procédé de fabrication du présent film mince électriquement conducteur transparent, à base d'oxyde d'indium, utilise principalement un procédé de dépôt chimique en phase vapeur organométallique, à l'aide de triméthyl-indium organométallique en tant que source d'indium, d'oxygène de haute pureté en tant que source d'oxygène et de tétra(diméthylamino)étain en tant que source de dopage et comprend en particulier les étapes suivantes : prétraitement du matériau de substrat ; croissance de la couche germe ; et croissance de la couche de corps principal. Le film mince électriquement conducteur transparent, à base d'oxyde d'indium, obtenu à l'aide du présent procédé de fabrication de film mince électriquement conducteur transparent, à base d'oxyde d'indium, présente une excellente conductivité ; la zone de transmission spectrale correspondante s'étend jusqu'à la bande d'ultraviolets lointains, présentant une bande interdite optique de 4,1 à 4,6 eV ; la morphologie de surface correspondante peut être régulée avec précision ; et le film mince est approprié pour une utilisation en tant que film mince électriquement conducteur transparent à bande ultra-violette proche-ultraviolette lointaine.
(ZH) 一种氧化铟基透明导电薄膜,包括顺序附着在基底材料一侧表面的籽晶层和主体层。该氧化铟基透明导电薄膜的制备方法主要通过金属有机化学气相沉积的方式,以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源,四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得,具体包括如下步骤:基底材料预处理;籽晶层生长;主体层生长。采用该氧化铟基透明导电薄膜的制造方法获得的氧化铟基透明导电薄膜除了能满足优良的电导率以外,光谱透射区域延伸到深紫外波段,具有4.1~4.6eV的光学带隙,且可以精准控制表面形貌,适用于作为近紫外-深紫外波段的透明导电薄膜。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)