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1. (WO2018032766) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE TENSION ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2018/032766 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/078420
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
G05F 1/656 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian,Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : WANG, Xinru; CN
Mandataire : SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road,Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201610685888.618.08.2016CN
Titre (EN) DEVICE FOR GENERATING VOLTAGE AND SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE TENSION ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(ZH) 一种电压产生装置及半导体芯片
Abrégé : front page image
(EN) A device for generating a voltage and a semiconductor chip, being able to enhance and expand the applicability and practicability of an on-chip power supply. The device for generating a voltage comprises: a controller, a first voltage division controller, a second voltage division controller and a voltage detector; the first voltage division controller being connected in series to a load (20) between an input power supply (VDD) and a ground (GND) terminal; the second voltage division controller being connected in parallel to the load (20) between a connection point between the first voltage division controller and the load (20) and the ground (GND) terminal; the voltage detector being electrically connected to the load (20), for detecting a load voltage (VVDD) of the load (20) and feeding back a detection value of the load voltage (VVDD) to the controller; and the controller being used for receiving the detection value fed back by the voltage detector, and generating, on the basis of the detection value, a control signal for controlling the first voltage division controller and the second voltage division controller to adjust the load voltage (VVDD) to a target value.
(FR) L'invention concerne un dispositif de génération d'une tension et une puce semi-conductrice, pouvant renforcer et étendre le caractère applicable et pratique d'une alimentation électrique sur puce. Le dispositif de génération d'une tension comprend : un contrôleur, un premier contrôleur de division de tension, un deuxième contrôleur de division de tension et un détecteur de tension; le premier contrôleur de division de tension étant connecté en série à une charge (20) entre une alimentation électrique d'entrée (VDD) et une borne de masse (GND); le deuxième contrôleur de division de tension étant connecté en parallèle à la charge (20) entre un point de connexion entre le premier contrôleur de division de tension et la charge (20) et la borne de masse (GND); le détecteur de tension étant électriquement connecté à la charge (20), pour la détection d'une tension de charge (VVDD) de la charge (20) et le renvoi d'une valeur de détection de la tension de charge (VVDD) au contrôleur; et le contrôleur servant à recevoir la valeur de détection renvoyée par le détecteur de tension, et à générer, sur la base de la valeur de détection, un signal de pour le contrôle du premier contrôleur de division de tension et du deuxième contrôleur de division de tension pour régler la tension de charge (VVDD) à une valeur cible.
(ZH) 一种电压产生装置及半导体芯片,可以增强和扩展片上电源的适用性和实用性,电压产生装置包括:控制器、第一分压控制器、第二分压控制器和电压检测器;第一分压控制器与负载(20)串联在输入电源(VDD)与接地端(GND)之间;第二分压控制器与负载(20)并联在第一分压控制器和负载(20)之间的连接点与接地端(GND)之间;电压检测器与负载(20)之间电连接,用于检测负载(20)的负载电压(VVDD)并向控制器反馈负载电压(VVDD)的检测值;控制器用于接收电压检测器反馈的检测值,并基于检测值生成控制信号,控制信号用于控制第一分压控制器和第二分压控制器来调节负载电压(VVDD)到目标值。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)