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1. (WO2018032753) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT D'AFFICHAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/032753 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/076259
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Road Chaoyang District Beijing 100015, CN
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No. 118, Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs : ZHANG, Xiaoxiang; CN
GUO, Huibin; CN
LIU, Mingxuan; CN
ZHANG, Zhichao; CN
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201610666962.X15.08.2016CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT D'AFFICHAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
(ZH) 显示基板的制作方法、显示装置的制作方法以及显示基板
Abrégé :
(EN) Provided are a manufacturing method for a display substrate, a manufacturing method for a display device, and a display substrate. The manufacturing method for a display substrate comprises: providing a base substrate (S101); forming a thin film transistor on the base substrate (S102); forming a first conducting layer on the base substrate on which the thin film transistor is formed, the first conducting layer being electrically connected with a drain electrode of the thin film transistor (S103); manufacturing a luminescent material block (S104); and transferring the luminescent material block to the surface of the first conducting layer (S105).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat d'affichage, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage, et un substrat d'affichage. Le procédé de fabrication d'un substrat d'affichage consiste à : utiliser un substrat de base (S101) ; former un transistor à couches minces sur le substrat de base (S102) ; former une première couche conductrice sur le substrat de base sur lequel est formé le transistor à couches minces, la première couche conductrice étant électriquement connectée à une électrode de drain du transistor à couches minces (S103) ; fabriquer un bloc de matériau luminescent (S104) ; et transférer le bloc de matériau luminescent vers la surface de la première couche conductrice (S105).
(ZH) 提供一种显示基板的制作方法、显示装置的制作方法以及显示基板。显示基板的制作方法包括:提供衬底基板(S101);在所述衬底基板上形成薄膜晶体管(S102);在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成第一导电层,所述第一导电层与所述薄膜晶体管的漏极电连接(S103);制作发光材料块(S104);以及将所述发光材料块转移到所述第一导电层的表面S105。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)