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1. (WO2018032684) MANDRIN, CHAMBRE DE RÉACTION ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/032684    International Application No.:    PCT/CN2016/112387
Publication Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Dec 28 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/683
H01J 37/32
H01J 37/20
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD.
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventors: ZHANG, Huwei
张虎威
Title: MANDRIN, CHAMBRE DE RÉACTION ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L’invention porte sur un mandrin, une chambre de réaction et sur un appareil de traitement de semi-conducteurs. Le mandrin comprend une couche isolante (5) et un substrat (7). La couche isolante (5) comprend une première surface d'appui (51) pour supporter une zone centrale d'une tranche (6) et une seconde surface d'appui (52) entourant la périphérie externe de la première surface d'appui (51) pour supporter une zone de bord de la tranche (6), la première surface d'appui (51) ayant une première rugosité qui peut augmenter la zone de contact entre la tranche (6) et la première surface d'appui (51) dans une condition telle que le gaz entre la première surface d'appui (51) et la tranche (6) soit distribué de manière uniforme. La chambre de réaction comprend le mandrin. L'équipement de traitement de semi-conducteurs comprend la chambre de réaction. Le mandrin, la chambre de réaction et l'équipement de traitement de semi-conducteurs peuvent améliorer l'efficacité de conduction de chaleur de la tranche au mandrin, ce qui permet d'éviter des dommages provoqués par un chauffage trop rapide de la surface de tranche.