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1. (WO2018032579) PROCÉDÉ D'ÉLABORATION D'UN SUBSTRAT TFT
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N° de publication :    WO/2018/032579    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/100576
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 28.09.2016
CIB :
H01L 21/77 (2017.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Xiaoxing; (CN).
ZHOU, Xingyu; (CN).
HSU, Yuan Jun; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/LIU Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610683532.9 17.08.2016 CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING TFT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLABORATION D'UN SUBSTRAT TFT
(ZH) 一种TFT基板的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for preparing a TFT substrate, the TFT substrate comprising a drive TFT region and a display TFT region, and the two TFT regions being manufactured using different techniques in order to meet different TFT requirements. The method for preparing the TFT substrate mainly comprises manufacturing a first amorphous silicon layer (21) to obtain the drive TFT region; manufacturing a second amorphous silicon layer (61) to obtain the display TFT region; depositing a passivation layer (9) and a planar layer (10), and further processing to complete the preparation of the TFT substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élaboration d'un substrat TFT, le substrat TFT comprenant une région de TFT d'attaque et une région de TFT d'affichage, les deux régions de TFT étant fabriquées à l'aide de différentes techniques afin de répondre à différentes exigences de TFT. Le procédé d'élaboration du substrat TFT consiste principalement : à fabriquer une première couche de silicium amorphe (21) de manière à obtenir la région de TFT d'attaque; à fabriquer une seconde couche de silicium amorphe (61) de manière à obtenir la région de TFT d'affichage; à déposer une couche de passivation (9) et une couche plane (10), puis à effectuer un traitement supplémentaire de manière à achever l'élaboration du substrat TFT.
(ZH)提供一种TFT基板的制备方法,TFT基板中含有驱动TFT区域和显示TFT区域,两个TFT区域采用不同的制造技术,以满足不同TFT的需求。TFT基板的制备方法主要包括制作第一非晶硅层(21),得到驱动TFT区域;制作第二非晶硅层(61),得到显示TFT区域;然后沉积钝化层(9)、平坦层(10),进一步处理完成TFT基板的制备。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)