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1. (WO2018032538) ONDULEUR CMOS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
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N° de publication :    WO/2018/032538    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/097528
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 31.08.2016
CIB :
H03K 19/0948 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : JIANG, Zhixiong; (CN)
Mandataire : SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610671927.7 16.08.2016 CN
Titre (EN) CMOS INVERTER AND ELECTRONIC DEVICE APPLYING SAME
(FR) ONDULEUR CMOS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
(ZH) CMOS反相器及应用该CMOS反相器的电子装置
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS inverter, comprising a first selector (100), a second selector (200), as well as a first transistor (T1), a second transistor (T2), a third transistor (T3), and a fourth transistor (T4) which are separately connected to an input end of a CMOS inverter by means of gates. Drains of the first transistor (T1), the second transistor (T2), the third transistor (T3), and the fourth transistor (T4) are all connected to an output end of the CMOS inverter. Sources of the first transistor (T1) and the third transistor (T3) are correspondingly connected to a first output end and a second output end of the first selector (100), respectively. Sources of the second transistor (T2) and the fourth transistor (T4) are correspondingly connected to a first output end and a second output end of the second selector (200), respectively. Both the first selector (100) and the second selector (200) are connected with a first control signal and a second control signal which are opposite in phase, and are connected to the input end. By using the CMOS inverter, the degradation of transistors can be reduced, and the service life of devices can be improved.
(FR)La présente invention concerne un onduleur CMOS, comprenant un premier sélecteur (100), un second sélecteur (200), ainsi qu'un premier transistor (T1), un deuxième transistor (T2), un troisième transistor (T3), et un quatrième transistor (T4) qui sont connectés séparément à une extrémité d'entrée d'un onduleur CMOS au moyen de grilles. Des drains du premier transistor (T1), du deuxième transistor (T2), du troisième transistor (T3) et du quatrième transistor (T4) sont tous connectés à une extrémité de sortie de l'onduleur CMOS. Des sources du premier transistor (T1) et du troisième transistor (T3) sont connectées de manière correspondante à une première extrémité de sortie et à une seconde extrémité de sortie du premier sélecteur (100), respectivement. Des sources du deuxième transistor (T2) et du quatrième transistor (T4) sont connectées de manière correspondante à une première extrémité de sortie et à une seconde extrémité de sortie du second sélecteur (200), respectivement. Le premier sélecteur (100) et le second sélecteur (200) sont connectés à un premier signal de commande et à un second signal de commande qui sont opposés en phase, et sont connectés à l'extrémité d'entrée. En utilisant l'onduleur CMOS, la dégradation des transistors peut être réduite, et la durée de vie des dispositifs peut être améliorée.
(ZH)一种CMOS反相器,包括第一选择器(100)、第二选择器(200),以及分别通过栅极连接CMOS反相器输入端的第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)和第四晶体管(T4),第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)和第四晶体管(T4)的漏极均连接CMOS反相器的输出端,第一、第三晶体管(T1、T3)的源极分别对应连接第一选择器(100)的第一输出端和第二输出端,第二、第四晶体管(T2、T4)的源极分别对应连接第二选择器(200)的第一输出端和第二输出端;第一选择器(100)和第二选择器(200)均接入相位相反的第一控制信号和第二控制信号,且均连接输入端。采用该CMOS反相器可减少晶体管的劣化、提高器件使用寿命。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)