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1. (WO2018032407) DISPOSITIF DE STOCKAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE LECTURE-ÉCRITURE DE DONNÉES
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N° de publication : WO/2018/032407 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/095665
Date de publication : 22.02.2018 Date de dépôt international : 17.08.2016
CIB :
H01L 27/115 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : XU, Wanjie; CN
ZHANG, Chenxiong; CN
Mandataire : SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; Room 1521 West Block, Guomao Building Shenzhen, Guangdong 518014, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DATA READ-WRITE METHOD
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE LECTURE-ÉCRITURE DE DONNÉES
(ZH) 存储装置及其制作方法、数据读写方法
Abrégé :
(EN) A storage device and a manufacturing method therefor and a data read-write method. A tunneling field effect transistor in the storage device comprises: a semiconductor substrate (1), a channel (67) located on a surface of the semiconductor substrate (1), a source region (6) and a drain region (7), a potential well layer (3), a first gate region (51) and a second gate region (52), the channel (67) being provided with a first surface and a second surface opposite to each other in a first direction, and a third surface and a fourth surface opposite to each other in a second direction; the source region (6) covering the third surface, the drain region (7) covering the fourth surface, and the source region (6) and the drain region (7) being different in doping type; and the potential well layer (3) covering a part of the first surface and extending along the second direction to cover a part of a surface where the potential well layer (3) is provided away from the channel (67), the first gate region (51) covering a part of the first surface and extending along the second direction to cover the part of the surface where the potential well layer (3) is provided away from the channel (67), and the second gate region (52) covering the second surface. The storage device has high reliability, and can perform multiple read-write operations.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de stockage et son procédé de fabrication et sur un procédé de lecture-écriture de données. Selon l'invention, dans le dispositif de stockage, un transistor à effet de champ à effet tunnel comprend : un substrat semi-conducteur (1), un canal (67) situé sur une surface du substrat semi-conducteur (1), une région de source (6) et une région de drain (7), une couche de puits de potentiel (3), une première région de grille (51) et une seconde région de grille (52), le canal (67) étant pourvu de première et deuxième surfaces mutuellement opposées dans une première direction, et de troisième et quatrième surfaces mutuellement opposées dans une seconde direction, la région de source (6) recouvrant la troisième surface, la région de drain (7) recouvrant la quatrième surface, la région de source (6) et la région de drain (7) possédant des types de dopage différents, la couche de puits de potentiel (3) recouvrant une partie de la première surface et s'étendant le long de la seconde direction de façon à recouvrir une partie d'une surface où la couche de puits de potentiel (3) est éloignée du canal (67), la première région de grille (51) recouvrant une partie de la première surface et s'étendant le long de la seconde direction de façon à recouvrir la partie de la surface où la couche de puits de potentiel (3) est éloignée du canal (67), et la seconde région de grille (52) recouvrant la deuxième surface. Le dispositif de stockage bénéficie d'une fiabilité élevée, et peut exécuter de multiples opérations de lecture-écriture.
(ZH) 一种存储装置及其制作方法及一种数据读写方法,该存储装置中的隧穿场效应晶体管包括:半导体衬底(1),位于半导体衬底(1)表面的沟道(67)、源区(6)和漏区(7)、势阱层(3)、第一栅区(51)和第二栅区(52),沟道(67)具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面;源区(6)覆盖第三表面,漏区(7)覆盖第四表面,源区(6)和漏区(7)的掺杂类型不同;势阱层(3)覆盖部分第一表面,并沿第二方向延伸覆盖至部分的势阱层(3)背离沟道(67)的表面,第一栅区(51)覆盖部分第一表面,并沿第二方向延伸覆盖至部分的势阱层(3)背离沟道(67)的表面,第二栅区(52)覆盖第二表面。该存储装置可靠性较高,可进行多次的读写操作。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)