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1. (WO2018031194) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS FOURNISSANT UN PUITS DE DISTORSION D'INTERMODULATION
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N° de publication : WO/2018/031194 N° de la demande internationale : PCT/US2017/042395
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 17.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 05.06.2018
CIB :
H03F 1/32 (2006.01) ,H03F 1/08 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01) ,H03F 3/30 (2006.01) ,H03F 3/45 (2006.01) ,H03H 11/32 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : GATHMAN, Timothy Donald; US
PATEL, Chirag Dipak; US
VUJCIC, Sasha; US
TASIC, Aleksandar Miodrag; US
CHEN, Wu-Hsin; US
VAN ZALINGE, Klaas; US
Mandataire : KELTON, Thomas W.; US
WEBB, Gregory P.; US
CHEN, Tom; US
MICHELSON, Gregory J.; US
HALLMAN, Jonathan; US
WELCH, Henry L.; US
FOWLES, Adam; US
NGUYEN, Thuc B.; US
EDWARDS, Gary J.; US
LI, Eric; US
PATTANI, Pranay; US
HUH, Gregory; US
Données relatives à la priorité :
15/472,05528.03.2017US
62/372,71909.08.2016US
62/438,17122.12.2016US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS PROVIDING AN INTERMODULATION DISTORTION SINK
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS FOURNISSANT UN PUITS DE DISTORSION D'INTERMODULATION
Abrégé : front page image
(EN) A circuit includes an active balun having an RF signal input and having differential signal outputs, the active balun including a first pair of transistors coupled to the RF signal input, the first pair of transistors including a first transistor of a first type and a second transistor of a second type, wherein the first type and second type are complementary; and an intermodulation distortion (IMD) sink circuit having an operational amplifier (op amp) coupled between a first node and a second node, wherein the first transistor and second transistor are coupled in series between the first node and the second node.
(FR) L'invention porte sur un circuit qui comprend un transformateur symétrique-dissymétrique actif ayant une entrée de signal RF et ayant des sorties de signal différentiel, le transformateur symétrique-dissymétrique actif comprenant une première paire de transistors couplés à l'entrée de signal RF, la première paire de transistors comprenant un premier transistor d'un premier type et un second transistor d'un second type, le premier type et le second type étant complémentaires; un circuit à puits de distorsion d'intermodulation (IMD) ayant un amplificateur opérationnel (amp op) couplé entre un premier nœud et un second nœud, le premier transistor et le second transistor étant couplés en série entre le premier nœud et le second nœud.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)