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1. (WO2018031094) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL CONTENANT UN CONTACT DE SOURCE LATÉRALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/031094    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/034466
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 25.05.2017
CIB :
H01L 27/1157 (2017.01), H01L 27/11582 (2017.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : KANAKAMEDALA, Senaka; (US).
MAKALA, Raghuveer S.; (US).
ZHANG, Yanli; (US).
SHARANGPANI, Rahul; (US).
KAI, James; (US).
LEE, Yao-Sheng; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US).
COHN, Joanna; (US).
CONNOR, David; (US).
GAUL, Allison; (US).
GAYOSO, Tony; (US).
GERETY, Todd; (US).
GILL, Matthew; (US).
GREGORY, Shaun D.; (US).
HANSEN, Robert; (US).
HUANG, Stephen; (US).
HYAMS, David; (US).
JOHNSON, Timothy; (US).
MAZAHERY, Benjamin; (US).
MURPHY, Timothy; (US).
NGUYEN, Jaqueline; (US).
O'BRIEN, Michelle; (US).
PARK, Byeongju; (US).
RUTT, Steven; (US).
SIMON, Phyllis; (US).
SULSKY, Martin; (US).
GEMMEL, Elizabeth; (US)
Données relatives à la priorité :
15/235,864 12.08.2016 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING A LATERAL SOURCE CONTACT AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL CONTENANT UN CONTACT DE SOURCE LATÉRALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A sacrificial film and an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers are sequentially formed over a substrate. A memory stack structure including a memory film and a vertical semiconductor channel is formed through the alternating stack and the sacrificial film on the substrate. A source level cavity is formed by introducing an etchant or a reactant through a backside trench and removing the sacrificial film. After removal of an annular portion of the memory film, a portion of the vertical semiconductor channel is converted into an annular source region by introducing electrical dopants into the channel. A source contact layer is formed in the source level cavity and directly on the annular source region. The sacrificial material layers are replaced with electrically conductive layers. The annular source region and the source contact layer can provide low source contact resistance in a three-dimensional NAND memory device.
(FR)L'invention concerne un film sacrificiel et un empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel qui sont formées séquentiellement sur un substrat. Une structure de pile de mémoire comprenant un film mémoire et un canal semi-conducteur vertical est formé à travers l'empilement alterné et le film sacrificiel sur le substrat. Une cavité de niveau source est formée par introduction d'un agent de gravure ou d'un réactif à travers une tranchée arrière et par élimination du film sacrificiel. Après élimination d'une partie annulaire du film de mémoire, une partie du canal de semi-conducteur vertical est convertie en une région de source annulaire par introduction de dopants électriques dans le canal. Une couche de contact de source est formée dans la cavité de niveau source et directement sur la région de source annulaire. Les couches de matériau sacrificiel sont remplacées par des couches électriquement conductrices. La région de source annulaire et la couche de contact de source peuvent fournir une faible résistance de contact de source dans un dispositif de mémoire NAND tridimensionnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)