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1. (WO2018030583) DIODE SCHOTTKY À BARRIÈRE DE JONCTION DE TYPE À TRANCHÉE LARGE DE SIC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/030583 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/012165
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 27.10.2016
CIB :
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : POWER CUBESEMI INC.[KR/KR]; (Samjeong-dong, Bucheon Techno Park Ssangyong 3 Cha General Manufacturing) #103-901, 397, Seokcheon-ro Bucheon-si, Gyeonggi-do 14449, KR
Inventeurs : KYOUNG, Sin Su; KR
KANG, Tae Young; KR
Mandataire : HONG, Seung Hoon; (Unioncenter, Yeoksam-dong)Suite 1512, 310 Gangnam-daero Gangnam-gu Seoul 06253, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-010189110.08.2016KR
Titre (EN) SIC WIDE TRENCH-TYPE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE SCHOTTKY À BARRIÈRE DE JONCTION DE TYPE À TRANCHÉE LARGE DE SIC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) SIC 와이드 트랜치형 정션 배리어 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN) According to one aspect of the present invention, provided is a SiC wide trench-type junction barrier Schottky diode comprising: a SiC N- epitaxial layer formed on a SiC N+-type substrate; a Schottky metal layer having a planar Schottky metal pattern layer and a downwardly depressed trench-type Schottky metal pattern layer, which are alternately formed at predetermined intervals and on the upper end part of the SiC N- epitaxial layer; a P+ junction pattern formed so as to permeate from the lower part of the trench-type Schottky metal pattern layer to the SiC N- epitaxial layer; and a cathode electrode formed on the lower part of the SiC N+-type substrate, wherein the width of the P+ junction pattern is narrower than the width of the trench-type Schottky metal pattern layer, and the P+ junction pattern is not formed on a side wall vertical surface region of the trench-type Schottky metal pattern layer.
(FR) Selon un aspect de la présente invention, l'invention concerne une diode Schottky à barrière de jonction de type à tranchée large de SiC comprenant : une couche épitaxiale de SiC N- formée sur un substrat de type SiC N+; une couche métallique de Schottky ayant une couche de motif métallique de Schottky plane et une couche de motif métallique de Schottky de type à tranchée enfoncée vers le bas, qui sont formées en alternance à des intervalles prédéterminés et sur la partie d'extrémité supérieure de la couche épitaxiale de SiC N-; un motif de jonction P+ formé de manière à passer de la partie inférieure de la couche de motif métallique de Schottky de type tranchée à la couche épitaxiale de SiC N-; et une électrode de cathode formée sur la partie inférieure du substrat de type SiC N+, la largeur du motif de jonction P+ étant plus étroite que la largeur de la couche de motif métallique de Schottky de type tranchée, et le motif de jonction P+ n'est pas formé sur une région de surface verticale de paroi latérale de la couche de motif métallique de Schottky de type tranchée.
(KO) 본 발명의 일측면에 따르면, SiC N+형 기판 위에 형성된 SiC N- 에피택셜층; 상기 SiC N- 에피택셜층의 상단부에 일정간격으로 플래너형 쇼트키 금속 패턴층과 하부로 오목한 트랜치형 쇼트키 금속 패턴층이 교대로 형성되는 쇼트키 금속층; 상기 트랜치형 쇼트키 금속 패턴층 하부에서 상기 SiC N- 에피택셜층으로 침투되어 형성되는 P+ 정션 패턴; 및 상기 SiC N+ 형 기판 하부에 형성되는 캐소드 전극; 을 포함하되, 상기 P+ 정션 패턴의 너비는 상기 트랜치형 쇼트키 금속 패턴층의 너비보다 좁게 형성되고, 상기 트랜치형 쇼트키 금속 패턴층의 측벽 수직면 영역에는 상기 P+ 정션 패턴이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 SiC 와이드 트랜치형 정션 배리어 쇼트키 다이오드가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)