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1. (WO2018030444) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/030444    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/028853
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : NAITO Tatsuya; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-158694 12.08.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a first-electroconductive-type emitter region provided inside the semiconductor substrate; a second-electroconductive-type base region provided below the emitter region inside the semiconductor substrate; a first-electroconductive-type storage region that is provided below the base region inside the semiconductor substrate and that includes hydrogen as an impurity; and a trench part provided so as to penetrate the emitter region, the base region, and the storage region from an upper surface of the semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur ; une région d'émetteur de premier type de conductivité électrique disposée à l'intérieur du substrat semi-conducteur ; une région de base de second type de conductivité électrique située au-dessous de la région d'émetteur à l'intérieur du substrat semi-conducteur ; une région de stockage de premier type de conductivité électrique qui est disposée au-dessous de la région de base à l'intérieur du substrat semi-conducteur et qui comprend de l'hydrogène comme impureté ; et une partie de tranchée prévue de manière à pénétrer dans la région d'émetteur, la région de base et la région de stockage à partir d'une surface supérieure du substrat semi-conducteur.
(JA)半導体基板と、半導体基板の内部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、半導体基板の内部においてエミッタ領域の下方に設けられた第2導電型のベース領域と、半導体基板の内部においてベース領域よりも下方に設けられ、不純物として水素を含む、第1導電型の蓄積領域と、半導体基板の上面からエミッタ領域、ベース領域および蓄積領域を貫通して設けられたトレンチ部とを備える半導体装置を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)