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1. (WO2018030352) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
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N° de publication :    WO/2018/030352    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/028620
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : NONAKA Naoya; (JP).
KAWASHIMA Tadashi; (JP).
OOKUBO Katsuya; (JP)
Mandataire : KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-157965 10.08.2016 JP
Titre (EN) EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハ、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial silicon wafer EW comprises a silicon wafer WF having phosphorus as a dopant and an electric resistivity of less than 1.0 mΩ·cm, the silicon wafer WF having an epitaxial film EP, wherein the silicon wafer WF has a major surface WF1 comprising the (100) surface that is inclined, the [100] axis perpendicular to the (100) surface is inclined by not less than 0°16' and not more than 0°55' in an arbitrary direction with respect to an axis orthogonal to the major surface WF1, and the hillock defect density in the epitaxial silicon wafer EW is not more than one per cm2.
(FR)La présente invention concerne une tranche de silicium épitaxial (EW) comprenant une tranche de silicium (WF) comportant du phosphore en tant que dopant et une résistivité électrique inférieure à 1,0 mΩ · cm, la tranche de silicium (WF) comportant un film épitaxial (EP), la tranche de silicium (WF) comportant une surface principale (WF1) qui comprend la surface (100) qui est inclinée, l'inclinaison de l'axe [100] perpendiculaire à la surface (100) étant supérieure ou égale à 0°16' et inférieure ou égale à 0°55' dans un sens arbitraire par rapport à un axe orthogonal à la surface principale (WF1), et la densité de défaut de monticule dans la tranche de silicium épitaxial (EW) n'étant pas supérieure à un par cm2.
(JA)リンをドーパントとした電気抵抗率が1.0mΩ・cm未満のシリコンウェーハWFに、エピタキシャル膜EPが設けられたエピタキシャルシリコンウェーハEWであって、シリコンウェーハWFは、(100)面が傾斜した面を主表面WF1とし、(100)面に垂直な[100]軸が主表面WF1に直交する軸に対して任意の方向に0°16'以上0°55'以下だけ傾斜しており、エピタキシャルシリコンウェーハEWに発生しているヒロック欠陥密度が1個/cm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)