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1. (WO2018030352) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
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N° de publication : WO/2018/030352 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028620
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
24
Dépôt uniquement de silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants : SUMCO CORPORATION[JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventeurs : NONAKA Naoya; JP
KAWASHIMA Tadashi; JP
OOKUBO Katsuya; JP
Mandataire : KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Données relatives à la priorité :
2016-15796510.08.2016JP
Titre (EN) EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハ、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) An epitaxial silicon wafer EW comprises a silicon wafer WF having phosphorus as a dopant and an electric resistivity of less than 1.0 mΩ·cm, the silicon wafer WF having an epitaxial film EP, wherein the silicon wafer WF has a major surface WF1 comprising the (100) surface that is inclined, the [100] axis perpendicular to the (100) surface is inclined by not less than 0°16' and not more than 0°55' in an arbitrary direction with respect to an axis orthogonal to the major surface WF1, and the hillock defect density in the epitaxial silicon wafer EW is not more than one per cm2.
(FR) La présente invention concerne une tranche de silicium épitaxial (EW) comprenant une tranche de silicium (WF) comportant du phosphore en tant que dopant et une résistivité électrique inférieure à 1,0 mΩ · cm, la tranche de silicium (WF) comportant un film épitaxial (EP), la tranche de silicium (WF) comportant une surface principale (WF1) qui comprend la surface (100) qui est inclinée, l'inclinaison de l'axe [100] perpendiculaire à la surface (100) étant supérieure ou égale à 0°16' et inférieure ou égale à 0°55' dans un sens arbitraire par rapport à un axe orthogonal à la surface principale (WF1), et la densité de défaut de monticule dans la tranche de silicium épitaxial (EW) n'étant pas supérieure à un par cm2.
(JA) リンをドーパントとした電気抵抗率が1.0mΩ・cm未満のシリコンウェーハWFに、エピタキシャル膜EPが設けられたエピタキシャルシリコンウェーハEWであって、シリコンウェーハWFは、(100)面が傾斜した面を主表面WF1とし、(100)面に垂直な[100]軸が主表面WF1に直交する軸に対して任意の方向に0°16'以上0°55'以下だけ傾斜しており、エピタキシャルシリコンウェーハEWに発生しているヒロック欠陥密度が1個/cm以下である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)