Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018030315) MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ POUR SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/030315 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028495
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
C08G 59/40 (2006.01) ,C08F 2/44 (2006.01) ,C08F 2/46 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59
Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18
Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
40
caractérisées par les agents de durcissement utilisés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
2
Procédés de polymérisation
44
Polymérisation en présence d'additifs, p.ex. plastifiants, matières colorantes, charges
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
2
Procédés de polymérisation
46
Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
Déposants :
太陽インキ製造株式会社 TAIYO INK MFG. CO., LTD. [JP/JP]; 埼玉県比企郡嵐山町大字平澤900番地 900, Oaza Hirasawa, Ranzan-machi, Hiki-gun, Saitama 3550215, JP
Inventeurs :
二田 完 NITA Yutaka; JP
佐藤 和也 SATO Kazuya; JP
Mandataire :
永井 浩之 NAGAI Hiroshi; JP
中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka; JP
佐藤 泰和 SATO Yasukazu; JP
朝倉 悟 ASAKURA Satoru; JP
浅野 真理 ASANO Makoto; JP
反町 洋 SORIMACHI Hiroshi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-15577908.08.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL
(FR) MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ POUR SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体用封止材
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a semiconductor sealing material capable of reducing warping of a wafer or a package in a semiconductor wafer or a semiconductor package, and particularly in a fan-out type wafer level package (FO-WLP). The present invention provides a semiconductor sealing material containing at least a thermosetting component (A) and an actinic radiation curable component (B), characterized in that, when the semiconductor sealing material is heat-treated at 150ºC for 10 minutes under an environment with no exposure to actinic radiation and then irradiated with 1 J/cm2 of ultraviolet light containing the 351 nm wavelength at 25ºC, the amount of heat generated, α (J/g), is such that 1 ≤ α (J/g).
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un matériau d'étanchéité pour semi-conducteurs capable de réduire le gauchissement d'une tranche ou d'un boîtier dans une tranche de semi-conducteur ou un boîtier de semi-conducteur, et en particulier dans un boîtier sur tranche de type à distribution en éventail (FO-WLP). La présente invention concerne un matériau d'étanchéité pour semi-conducteurs contenant au moins un composant thermodurcissable (A) et un composant durcissable par rayonnement actinique (B), et est caractérisée en ce que, lorsque le matériau d'étanchéité pour semi-conducteurs est soumis à un traitement thermique à 150 °C pendant 10 minutes dans un environnement sans exposition à un rayonnement actinique puis irradié avec 1 J/cm2 de lumière ultraviolette présentant une longueur d'onde de 351 nm à 25 °C, la quantité de chaleur générée, α (J/g), est telle que 1 ≤ α (J/g).
(JA) 半導体ウェハや半導体パッケージ、とりわけ、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ(FO-WLP)におけるウェハないしパッケージの反りを低減できる半導体用封止材を提供する。熱硬化性成分(A)と、活性エネルギー線硬化性成分(B)とを少なくとも含む半導体用封止材であって、活性エネルギー線に晒されない環境下で、150℃で10分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を25℃中で波長351nmを含む紫外線を1J/cmを照射した際の発熱量α(J/g)が、1≦α(J/g)であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)