Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018030255) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/030255 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028182
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677
pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
近藤工業株式会社 KONDOH INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都港区芝三丁目14番2号 14-2, Shiba 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014, JP
Inventeurs :
木崎原 稔郎 KISAKIBARU, Toshiro; JP
上野 幸太 UENO, Kouta; JP
本堀 勲 HONBORI, Isao; JP
杉山 訓樹 SUGIYAMA, Satoki; JP
Mandataire :
山崎 行造 YAMASAKI, Yukuzo; JP
内藤 忠雄 NAITO, Tadao; JP
赤松 利昭 AKAMATSU, Toshiaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-15644509.08.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor manufacturing apparatus that can easily prevent moisture adhesion to a wafer surface inside an EFEM. A semiconductor manufacturing apparatus 1 is provided with: a process device 30 for processing wafers 90; a FOUP 40 for supplying the wafers 90, and accommodating those wafers 90 for which process processing has concluded; an EFEM 10 for transferring the wafers 90 between the FOUP 40 and the process device 30; a fan filter unit 20 for sending an airflow 72 from above to the EFEM 10; an ultrasonic wave oscillator 52 for generating high-frequency power; and a vibrator 54 for generating ultrasonic waves 80 from high-frequency power generated by the ultrasonic wave oscillator 52, and directing the ultrasonic waves 80 onto the wafers 90 for which process processing has concluded, conveyed by the EFEM 10.
(FR) l'invention concerne un appareil de fabrication de semi-conducteur qui peut facilement empêcher une adhérence d'humidité à une surface de tranche à l'intérieur d'un EFEM. Un appareil de fabrication de semi-conducteur 1 comprend : un dispositif de traitement 30 pour traiter des tranches 90; un FOUP 40 pour fournir les tranches 90, et recevoir ces tranches 90 pour lesquelles le traitement de traitement s'est terminé; un EFEM 10 pour transférer les tranches 90 entre le FOUP 40 et le dispositif de traitement 30; une unité de filtre de ventilateur 20 pour envoyer un flux d'air 72 depuis le dessus vers le EFEM 10; un oscillateur à ondes ultrasonores 52 pour générer une puissance à haute fréquence; et un vibreur 54 pour générer des ondes ultrasonores 80 à partir de la puissance à haute fréquence générée par l'oscillateur à ondes ultrasonores 52, et à diriger les ondes ultrasonores 80 sur les tranches 90 pour lesquelles la procédure de traitement est terminé, transporté par le EFEM 10.
(JA) EFEM内でのウェーハ表面への水分付着を簡便に防止することができる半導体製造装置を提供する。半導体製造装置1は、ウェーハ90を処理するプロセス装置30と、ウェーハ90を供給し、プロセス処理が完了したウェーハ90を収納するFOUP40と、FOUP40とプロセス装置30の間でウェーハ90を移送するEFEM10と、EFEM10に上側から空気流72を送るファンフィルターユニット20と、高周波電力を発生する超音波発振器52と、超音波発振器52で発生した高周波電力から超音波80を発生して、EFEM10で搬送されるプロセス処理が完了したウェーハ90に当てる振動子54とを備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)