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1. (WO2018030107) DISPOSITIF À CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/030107    International Application No.:    PCT/JP2017/026298
Publication Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 21 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/82
H01L 21/822
H01L 21/8238
H01L 27/04
H01L 27/088
H01L 27/092
H01L 29/06
Applicants: SOCIONEXT INC.
株式会社ソシオネクスト
Inventors: KISHISHITA Keisuke
岸下 景介
Title: DISPOSITIF À CIRCUITS INTÉGRÉS À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à circuits intégrés à semi-conducteurs utilisant un transistor à effet de champ à nanofil, le dispositif à circuits intégrés à semi-conducteurs ayant une structure de disposition qui est efficace pour faciliter la production. Une cellule standard (1) est pourvue de transistors à effet de champ à nanofil (P11, P12) connectés en série par un nœud intermédiaire (10) utilisé uniquement pour une connexion mutuelle, les transistors à effet de champ à nanofil (P11, P12) étant pourvus : de plages d'accueil (21, 22, 23) ; de nanofils Na (11) s'étendant dans une direction X entre les plages d'accueil (21, 22) et connectant les plages d'accueil (21, 22) l'une à l'autre ; et de nanofils Nb (12) s'étendant dans la direction X entre les patins (22, 23) et connectant les plages d'accueil (22, 23) l'une à l'autre.