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1. (WO2018030042) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL

Pub. No.:    WO/2018/030042    International Application No.:    PCT/JP2017/024763
Publication Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 13/32
C30B 13/28
C30B 29/06
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: NISHIOKA Kenichi
西岡 研一
Title: PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
Abstract:
Cette invention vise à empêcher l'apparition d'une courbure d'un cristal après le passage sur un support multipoint par des moyens de support lors de la production d'un monocristal de silicium par la méthode de la zone flottante. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de production d'un monocristal comprenant : une étape de croissance d'un monocristal (3) au-dessus d'un germe cristallin (2) tout en faisant tourner un axe de cristal (13) qui supporte l'extrémité inférieure du germe cristallin (2) par un point ; une étape de mise en butée de moyens de support (16a) contre une surface périphérique externe d'une partie conique (3b) du monocristal (3) et de passage d'un support par l'axe de cristal (12) à un support par les moyens de support (16a) lorsque le monocristal (3) s'est développé en une forme cristalline prédéterminée ; une étape d'abaissement de l'axe de cristal (13) tout en maintenant la position verticale des moyens de support (16a) et d'augmentation de la force de pression d'une broche de support (16a) sur le monocristal (3) après achèvement de l'opération de passage sur le support par les moyens de support (16a) ; et une étape de croissance du monocristal (3) tout en supportant le monocristal (3) avec les moyens de support (16a).