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1. (WO2018030042) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
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N° de publication :    WO/2018/030042    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/024763
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 06.07.2017
CIB :
C30B 13/32 (2006.01), C30B 13/28 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : NISHIOKA Kenichi; (JP)
Mandataire : WASHIZU Mitsuhiro; (JP).
OGATA Kazufumi; (JP).
KUROSE Yasuyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-157934 10.08.2016 JP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の製造方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To prevent the occurrence of crystal bending after switching to multipoint support by a support means in the production of a silicon single crystal by the FZ method. [Solution] A method for producing a single crystal including: a step of growing a single crystal 3 above a seed crystal 2 while rotating a crystal shaft 13 that supports the lower end of the seed crystal 2 at one point; a step of abutting a support means 16a against an outer peripheral surface of a tapered portion 3b of the single crystal 3 and switching from support by the crystal shaft 13 to support by the support means 16a when the single crystal 3 has grown into a predetermined crystal shape; a step of lowering the crystal shaft 13 while maintaining the vertical position of the support means 16a and increasing the pressing force of a support pin 16a onto the single crystal 3 after completion of the switching operation to the support by the support means 16a; and a step of growing the single crystal 3 while supporting the single crystal 3 with the support means 16a.
(FR)Cette invention vise à empêcher l'apparition d'une courbure d'un cristal après le passage sur un support multipoint par des moyens de support lors de la production d'un monocristal de silicium par la méthode de la zone flottante. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de production d'un monocristal comprenant : une étape de croissance d'un monocristal (3) au-dessus d'un germe cristallin (2) tout en faisant tourner un axe de cristal (13) qui supporte l'extrémité inférieure du germe cristallin (2) par un point ; une étape de mise en butée de moyens de support (16a) contre une surface périphérique externe d'une partie conique (3b) du monocristal (3) et de passage d'un support par l'axe de cristal (12) à un support par les moyens de support (16a) lorsque le monocristal (3) s'est développé en une forme cristalline prédéterminée ; une étape d'abaissement de l'axe de cristal (13) tout en maintenant la position verticale des moyens de support (16a) et d'augmentation de la force de pression d'une broche de support (16a) sur le monocristal (3) après achèvement de l'opération de passage sur le support par les moyens de support (16a) ; et une étape de croissance du monocristal (3) tout en supportant le monocristal (3) avec les moyens de support (16a).
(JA)【課題】FZ法によるシリコン単結晶の製造において、サポート手段による多点サポートへの切り替え後に結晶曲がりの発生を防止する。 【解決手段】種結晶2の下端を一点で支持する結晶軸13を回転させながら種結晶2の上方に単結晶3を成長させるステップと、単結晶3が所定の結晶形状に成長した段階で単結晶3のテーパー部3bの外周面にサポート手段16aを当接させて結晶軸2によるサポートからサポート手段16aによるサポートに切り替えるステップと、サポート手段16aによるサポートへの切り替え作業完了後に、サポート手段16aの垂直方向の位置を固定したまま結晶軸13を降下させて単結晶3に対するサポートピン16aの押し込みを強めるステップと、サポート手段16aで単結晶3を支持しながら単結晶3を成長させるステップとを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)