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1. (WO2018030041) CORPS PHOTOSENSIBLE ÉLECTROPHOTOGRAPHIQUE
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N° de publication : WO/2018/030041 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/024745
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 06.07.2017
CIB :
G03G 5/08 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Inventeurs : ABE Yukihiro; JP
OWAKI Hironori; JP
OHIRA Jun; JP
OKAMURA Ryuji; JP
MIZUTANI Masaki; JP
OOYAMA Kazunari; JP
UENO Takanori; JP
Mandataire : OKABE Yuzuru; JP
USUI Shinichi; JP
SAITO Masami; JP
KIMURA Katsuhiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-15875612.08.2016JP
Titre (EN) ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY
(FR) CORPS PHOTOSENSIBLE ÉLECTROPHOTOGRAPHIQUE
(JA) 電子写真感光体
Abrégé : front page image
(EN) Provided is an electrophotographic photosensitive body including: a photoconductive layer formed of hydrogenated amorphous silicon on a conductive support; and a surface layer formed of hydrogenated amorphous silicon carbide or hydrogenated amorphous carbon, in that order, wherein, regarding the surface layer, the ratio C/(Si+C) of the number of carbon atoms (C) to the sum of the number of silicon atoms (Si) and the number of carbon atoms (C) is not less than 0.80, the ratio H/(Si+C+H) of the number of hydrogen atoms (H) to the sum of the number of hydrogen atoms (H), the number of silicon atoms (Si), and the number of carbon atoms (C) is 0.30-0.40, the ratio sp3/(sp3+sp2) of the number of sp3 bonds of the carbon atoms (sp3) to the sum of the number of sp3 bonds of the carbon atoms (sp3) and the number of sp2 bonds of the carbon atoms (sp2) is not less than 0.30, and the ionization potential is not less than 5.50 eV.
(FR) L'invention concerne un corps photosensible électrophotographique comprenant : une couche photoconductrice formée de silicium amorphe hydrogéné sur un support conducteur ; et une couche de surface formée de carbure de silicium amorphe hydrogéné ou de carbone amorphe hydrogéné, dans cet ordre, où, pour la couche de surface, le rapport C/(Si + C) entre le nombre d'atomes de carbone (C) et la somme du nombre d'atomes de silicium (Si) et du nombre d'atomes de carbone (C) est supérieur ou égal à 0,80, le rapport H/(Si + C + H) entre le nombre d'atomes d'hydrogène (H) et la somme du nombre d'atomes d'hydrogène (H), du nombre d'atomes de silicium (Si) et du nombre d'atomes de carbone (C) est de 0,30-0,40, le rapport sp3/(sp3 + sp2) entre le nombre de liaisons sp3 des atomes de carbone (sp3) et la somme du nombre de liaisons sp3 des atomes de carbone (sp3) et du nombre de liaisons sp2 des atomes de carbone (sp2) est supérieur ou égal à 0,30, et le potentiel d'ionisation est supérieur ou égal à 5,50 eV.
(JA) 導電性支持体上に水素化アモルファスシリコンで構成されている光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイドまたは水素化アモルファスカーボンで構成されている表面層をこの順に有する電子写真感光体において、表面層のケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比率C/(Si+C)が0.80以上、水素原子の原子数(H)とケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する水素原子の原子数(H)の比率H/(Si+C+H)が0.30以上0.40以下、炭素元素のsp結合数(sp)と炭素元素のsp結合数(sp)の和に対する炭素元素のsp結合数(sp)の比率sp/(sp+sp)が0.30以上、イオン化ポテンシャルが5.50eV以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)