Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018029819) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ÉLÉMENT MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/029819    International Application No.:    PCT/JP2016/073599
Publication Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 11 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: INADA, Tetsuaki
稲田 哲明
JODA, Takuya
定田 拓也
HARA, Daisuke
原 大介
Title: DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ÉLÉMENT MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Un dispositif de traitement de substrat comprend une chambre de traitement dans laquelle un substrat est reçu, un système d'alimentation en gaz de traitement pour introduire un gaz de traitement contenant du peroxyde d'hydrogène dans une chambre de traitement, et un système d'échappement pour évacuer le gaz de la chambre de traitement, au moins l'un parmi la chambre de traitement, le système d'alimentation en gaz de traitement, et le système d'échappement étant composé d'un élément métallique, au moins un des éléments métalliques exposés au gaz de traitement ou au liquide produit par liquéfaction du gaz de traitement étant composé d'un matériau contenant du fer élémentaire, la surface de l'élément métallique exposée au gaz ou liquide de traitement étant formée avec une couche contenant un oxyde de fer formé par cuisson de l'élément métallique. Un endommagement de l'élément du dispositif de traitement de substrat peut ainsi être réduit.