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1. (WO2018029594) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR INCLUANT DES TRANSISTORS PMOS ET NMOS INTÉGRÉS MONOLITHIQUEMENT
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N° de publication : WO/2018/029594 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/054823
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal 23955-6900, SA
Inventeurs : HUSSAIN, Aftab; SA
Données relatives à la priorité :
62/372,66909.08.2016US
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MONOLITHICALLY INTEGRATED PMOS AND NMOS TRANSISTORS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR INCLUANT DES TRANSISTORS PMOS ET NMOS INTÉGRÉS MONOLITHIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN) A method for producing a semiconductor device involves forming a first transistor having a silicon substrate and a gate, and forming a second transistor, having a germanium substrate, on top of the first transistor. The second transistor is formed by forming a first gate (414) of the second transistor on top of, and electrically coupled to, the gate (406) of the first transistor, bonding the germanium substrate to the first gate of the second transistor so that the bonding does not damage the first transistor, and forming a second gate (422) of the second transistor on the germanium substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur qui consiste à former un premier transistor comportant un substrat de silicium et une grille, et à former un deuxième transistor, comportant un substrat de germanium, sur le sommet du premier transistor. Le deuxième transistor est formé en formant une première grille (414) du deuxième transistor sur la grille (406) du premier transistor et couplée électriquement à elle, à souder le substrat de germanium de la première grille du deuxième transistor de sorte que le soudage n'endommage pas le premier transistor, et à former une deuxième grille (422) du deuxième transistor sur le substrat de germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)