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1. (WO2018029556) FORMATION D'ESPACEURS D'ENTREFER POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS À ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE

Pub. No.:    WO/2018/029556    International Application No.:    PCT/IB2017/054419
Publication Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jul 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/768
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IBM UNITED KINGDOM LIMITED
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED
Inventors: NGUYEN, Son, Van
YAMASHITA, Tenko
CHENG, Kangguo
HAIGH JR, Thomas, Jasper
PARK, Chanro
LINIGER, Eric
LI, Juntao
MEHTA, Sanjay
Title: FORMATION D'ESPACEURS D'ENTREFER POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS À ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE
Abstract:
L'invention porte sur des dispositifs à semi-conducteurs ayant des espaceurs d'entrefer qui sont formés en tant que partie de couches BEOL ou MOL des dispositifs à semi-conducteurs, ainsi que sur des procédés de fabrication de tels espaceurs d'entrefer. Par exemple, un procédé consiste à former une première structure métallique et une seconde structure métallique sur un substrat, les première et seconde structures métalliques étant disposées adjacentes l'une à l'autre avec un matériau isolant disposé entre les première et seconde structures métalliques. Le matériau isolant est gravé pour former un espace entre les première et seconde structures métalliques. Une couche de matériau diélectrique est déposée sur les première et seconde structures métalliques à l'aide d'un procédé de dépôt par pincement pour former un entrefer dans l'espace entre les première et seconde structures métalliques, une portion de l'entrefer s'étendant au-dessus d'une surface supérieure d'au moins une de la première structure métallique et de la seconde structure métallique.