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1. (WO2018029481) FABRICATION DE FILMS DE MATÉRIAUX ÉLECTRONIQUES CORRÉLÉS AVEC DES CONCENTRATIONS ATOMIQUES OU MOLÉCULAIRES VARIÉES D'ESPÈCES DOPANTES
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N° de publication : WO/2018/029481 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/052364
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 10.08.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : ARM LTD[GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ, GB
Inventeurs : REID, Kimberly Gay; GB
SHIFREN, Lucian; GB
Mandataire : TLIP LTD; Leeds Innovation Centre 103 Clarendon Road Leeds, Yorkshire LS2 9DF, GB
Données relatives à la priorité :
15/234,85411.08.2016US
Titre (EN) FABRICATION OF CORRELATED ELECTRON MATERIAL FILMS WITH VARYING ATOMIC OR MOLECULAR CONCENTRATIONS OF DOPANT SPECIES
(FR) FABRICATION DE FILMS DE MATÉRIAUX ÉLECTRONIQUES CORRÉLÉS AVEC DES CONCENTRATIONS ATOMIQUES OU MOLÉCULAIRES VARIÉES D'ESPÈCES DOPANTES
Abrégé : front page image
(EN) The present techniques generally relate to fabrication of layered correlated electron materials (CEMs) in which a first group of one or more layers may comprise a first concentrationof a dopant species, and wherein a second group of one or more layers may comprise a second concentration of a dopant species. In other embodiments, a CEM may comprise one or more regions of graded concentration of a dopant species.
(FR) Les présentes techniques concernent généralement la fabrication de matériaux électroniques corrélés stratifiés (CEM) dans lesquels un premier groupe d'une ou de plusieurs couches peut comprendre une première concentration d'une espèce dopante, et un second groupe d'une ou de plusieurs couches peut comprendre une seconde concentration d'une espèce dopante. Selon d'autres modes de réalisation, un matériau électronique corrélé peut comprendre une ou plusieurs régions de concentration graduelle d'une espèce dopante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)