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1. (WO2018029204) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CAPTEUR OPTIQUE AU NIVEAU D'UNE TRANCHE, ET CAPTEUR OPTIQUE
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N° de publication : WO/2018/029204 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/070094
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/0203 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0203
Conteneurs; Capsulations
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : AMS AG[AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventeurs : TOSCHKOFF, Gregor; AT
BODNER, Thomas; AT
SCHRANK, Franz; AT
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
16183205.008.08.2016EP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING AN OPTICAL SENSOR AT WAFER-LEVEL AND OPTICAL SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CAPTEUR OPTIQUE AU NIVEAU D'UNE TRANCHE, ET CAPTEUR OPTIQUE
Abrégé :
(EN) A method is proposed to produce an optical sensor at wafer-level, the methods comprises the following steps. A wafer (10) is provided and has a main top surface (11) and a main back surface (12). At or near the top surface (11) of the wafer at least one integrated circuit (20) is arranged having a light sensitive component (21). A first mold tool (1) is placed over the at least one integrated circuit such that at least one channel (37) remains between the first mold tool (1) and the top surface (11) to enter a first mold material. A first mold structure (30) is formed by wafer-level molding the first mold material via the at least one channel (37). The first mold material creates at least one runner structure (35). A second mold tool (2) is placed over the first mold structure (30) and a second mold structure (40) is formed by wafer-level molding a second mold material by means of the second mold tool (2). A light path blocking structure (50) is arranged on the top surface (11) to block light from entering via the at least one runner structure (35).
(FR) La présente invention propose un procédé de production d'un capteur optique au niveau d'une tranche, les procédés comprennent les étapes suivantes. Une tranche (10) est prévue et présente une surface supérieure principale (11) et une surface arrière principale (12). Au niveau ou près de la surface supérieure (11) de la tranche, au moins un circuit intégré (20) est disposé comportant un composant sensible à la lumière (21). Un premier outil de moule (1) est disposé sur le ou les circuits intégrés de telle sorte qu'au moins un canal (37) reste entre le premier outil de moule (1) et la surface supérieure (11) pour injecter un premier matériau de moulage. Une première structure de moule (30) est formée par moulage au niveau de la tranche du premier matériau de moulage à travers le ou les canaux (37). Le premier matériau de moulage crée au moins un structure de canal (35). Un second outil de moule (2) est disposé au dessus de la première structure de moule (30) et une seconde structure de moule (40) est formée par moulage au niveau de la tranche du second matériau de moulage par l'intermédiaire du second outil de moule (2). Une structure bloquante de chemin de lumière (50) est disposée sur la surface supérieure (11) pour empêcher la lumière d'entrer à travers le ou les structures de canal (35).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)