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1. (WO2018028962) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/028962 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/068295
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 20.07.2017
CIB :
H01L 27/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
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comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
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avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
Déposants :
OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2 93049 Regensburg, DE
Inventeurs :
FLEISSNER, Arne; DE
WITTMANN, Sebastian; DE
LANG, Erwin; DE
Mandataire :
ENGELHARDT, Martin; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 214 743.909.08.2016DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic device (10) which comprises a substrate (11), a functional layer structure (16) that is designed to generate electromagnetic radiation when supplied with power by a first electrode (14) and a second electrode (15), and a planarized portion (12) for leveling out a roughness of a main face (11a) of the substrate (11) facing the electrodes (14). The optoelectronic device is characterized in that the planarized portion (12) is designed and disposed such that an interface (14a, 15b) of one of the electrodes (14, 15) has a lower roughness in at least one first region (34a, 35a) than in a second region (34b, 35b).
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un substrat (11), une structure stratifiée fonctionnelle (16) conçue pour produire un rayonnement électromagnétique lorsqu’elle est alimentée électriquement au moyen d’une première électrode (14) et d’une deuxième électrode (15), ainsi qu’une planarisation (12) pour compenser une rugosité d’une surface principale (11a) du substrat (11) faisant face aux électrodes (14). Selon l’invention, la planarisation (12) est conçue et agencée de sorte qu’une interface (14a, 15b) d’une des électrodes (14, 15) présente dans au moins une première zone (34a, 35a) une rugosité plus faible que dans une deuxième zone (34b, 35b).
(DE) Bei einer optoelektronischen Vorrichtung (10) mit einem Substrat (11), einer funktionalen Schichtstruktur (16), die eingerichtet ist, bei Bestromung mittels einer ersten Elektrode (14) und einer zweiten Elektrode (15) eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und einer Planarisierung (12) zum Ausgleichen einer Rauigkeit einer den Elektroden (14) zugewandten Hauptfläche (11a) des Substrates (11), ist die Planarisierung (12) derart ausgestaltet und angeordnet, dass eine Grenzfläche (14a, 15b) einer der Elektroden (14, 15) in zumindest einem ersten Bereich (34a, 35a) eine geringere Rauigkeit aufweist als in einem zweiten Bereich (34b, 35b).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)