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1. (WO2018028334) SUBSTRAT MATRICIEL, PANNEAU D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/028334 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/091054
Date de publication : 15.02.2018 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
G09G 3/3208 (2016.01) ,G09G 3/00 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs : CHEN, Lei; CN
Mandataire : ZHONGZI LAW OFFICE; 7F, New Era Building 26 Pinganli Xidajie, Xicheng District Beijing 100034, CN
Données relatives à la priorité :
201610640979.808.08.2016CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND CURRENT MEASUREMENT METHOD
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL, PANNEAU D'AFFICHAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE COURANT
(ZH) 阵列基板、显示面板、显示装置和电流测量方法
Abrégé : front page image
(EN) An array substrate (1), a display panel, a display device, and a current measurement method. The array substrate (1) comprises a plurality of pixel units (2) and a sensing line (SL). The pixel units (2) comprise drive transistors (T1, T2 … Tn). The sensing line (SL) is configured to transmit to a sensing device the outputs of the drive transistors (T1, T2 … Tn). The output ends of at least two drive transistors (T1, T2 … Tn) are connected in series. In the at least two drive transistors (T1, T2 … Tn ), the output ends of adjacent drive transistors (T1, T2 … Tn) are connected by means of first switch elements (S2, S2 … Sn-1). Among the at least two drive transistors (T1, T2 … Tn ), the output end of at least one drive transistor (T1, T2 … Tn ) is connected to the sensing line (SL) by means of a second switch element (Sn), which can increase the current measurement speed of the drive transistors (T1, T2... Tn).
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau (1), un panneau d'affichage, un dispositif d'affichage et un procédé de mesure de courant. Le substrat de réseau (1) comprend une pluralité d'unités de pixel (2) et une ligne de détection (SL). Les unités de pixels (2) comprennent des transistors d'attaque (T1, T2 … Tn). La ligne de détection (SL) est configurée pour transmettre à un dispositif de détection les sorties des transistors d'attaque (T1, T2 … Tn). Les extrémités de sortie d'au moins deux transistors d'attaque (T1, T2 … Tn) sont reliées en série. Dans lesdits deux transistors d'attaque (T1, T2 … Tn), les extrémités de sortie de transistors d'attaque adjacents (T1, T2 … Tn) sont reliées au moyen de premiers éléments de commutation (S2, S2 … Sn-1). Parmi lesdits deux transistors d'attaque (T1, T2 … Tn) au moins, l'extrémité de sortie d'au moins un transistor d'attaque (T1, T2 … Tn) est reliée à la ligne de détection (SL) au moyen d'un deuxième élément de commutation (Sn) qui peut augmenter la vitesse de mesure de courant des transistors d'attaque (T1, T2... Tn).
(ZH) 一种阵列基板(1)、显示面板、显示装置及电流测量方法。阵列基板(1)包括多个像素单元(2)以及感测线(SL)。像素单元(2)包括驱动晶体管(T1、T2……Tn),感测线(SL)被配置为向感测装置传输驱动晶体管(T1、T2……Tn)的输出。至少两个驱动晶体管(T1、T2……Tn)的输出端被串联在一起。在该至少两个驱动晶体管(T1、T2……Tn)中,相邻的驱动晶体管(T1、T2……Tn)的输出端通过第一开关元件(S1、S2……Sn-1)连接。在该至少两个驱动晶体管(T1、T2……Tn)中,至少一个驱动晶体管(T1、T2……Tn)的输出端通过第二开关元件(Sn)与感测线(SL)连接,能够提高驱动晶体管(T1、T2……Tn)的电流测量速度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)