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1. (WO2018026867) TECHNIQUE DE DÉPÔT DE PASSIVATION DE PAROI LATÉRALE POUR GRAVURE DE CYLINDRE À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/026867    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/044986
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 01.08.2017
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventeurs : HUDSON, Eric A.; (US)
Mandataire : KESICH, Amanda M.; (US).
WEAVER, Jeffrey K.; (US).
AUSTIN, James E.; (US).
VILLENEUVE, Joseph M.; (US).
SAMPSON, Roger S.; (US).
GRIFFITH, John F.; (US).
BERGIN, Denise S.; (US).
SCHOLZ, Christian D.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/225,489 01.08.2016 US
Titre (EN) TECHNIQUE TO DEPOSIT SIDEWALL PASSIVATION FOR HIGH ASPECT RATIO CYLINDER ETCH
(FR) TECHNIQUE DE DÉPÔT DE PASSIVATION DE PAROI LATÉRALE POUR GRAVURE DE CYLINDRE À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments herein relate to methods, apparatus and systems for forming a recessed feature in dielectric material on a semiconductor substrate. Separate etching and deposition operations are employed in a cyclic manner. Each etching operation partially etches the feature. Each deposition operation forms a protective coating on the sidewalls of the feature to prevent lateral etch of the dielectric material during the etching operations. The protective coating may be deposited using methods that result in formation of the protective coating along substantially the entire length of the sidewalls. The protective coating may be deposited using particular reactants having low sticking coefficients in some embodiments. The protective coating may also be deposited using particular reaction mechanisms that result in substantially complete sidewall coating. In some cases the protective coating is deposited using plasma assisted atomic layer deposition or plasma assisted chemical vapor deposition.
(FR)Divers modes de réalisation concernent des procédés, un appareil et des systèmes pour former une caractéristique en retrait dans un matériau diélectrique sur un substrat semi-conducteur. Des opérations de gravure et de dépôt séparées sont utilisées de manière cyclique. Chaque opération de gravure grave partiellement la caractéristique. Chaque opération de dépôt forme un revêtement protecteur sur les parois latérales de la caractéristique afin d'empêcher la gravure latérale du matériau diélectrique pendant les opérations de gravure. Le revêtement protecteur peut être déposé à l'aide de procédés qui entraînent la formation du revêtement protecteur sur sensiblement toute la longueur des parois latérales. Dans certains modes de réalisation, le revêtement protecteur peut être déposé en utilisant des réactifs particuliers ayant des coefficients de collage bas. Le revêtement protecteur peut également être déposé en utilisant des mécanismes de réaction particuliers qui produisent un revêtement de paroi latérale sensiblement complet. Dans certains cas, le revêtement protecteur est déposé par dépôt de couche atomique assisté par plasma ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)