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1. (WO2018026670) CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE COMPRENANT INDIVIDUELLEMENT UN TRANSISTOR DE STOCKAGE DE CHARGE PROGRAMMABLE COMPRENANT UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE STRUCTURE DE STOCKAGE DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE COMPRENANT INDIVIDUELLEMENT UN TRANSISTOR DE STOCKAGE DE CHARGE PROGRAMMABLE COMPRENANT UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE STRUCTURE DE STOCKAGE DE CHARGE
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N° de publication : WO/2018/026670 N° de la demande internationale : PCT/US2017/044568
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 27/11556 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01)
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; MS 1-525 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventeurs : ZHU, Hongbin; US
DENNISON, Charles H.; US
HALLER, Gordon A.; US
CARLSON, Merri L.; US
HOPKINS, John D.; US
NG, Jia Hui; SG
SUN, Jie; US
Mandataire : MATKIN, Mark S.; US
LATWESEN, David, G.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
MATKIN, Mark, S.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
Données relatives à la priorité :
15/229,49005.08.2016US
Titre (EN) VERTICAL STRING OF MEMORY CELLS INDIVIDUALLY COMPRISING A PROGRAMMABLE CHARGE STORAGE TRANSISTOR COMPRISING A CONTROL GATE AND A CHARGE STORAGE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING A VERTICAL STRING OF MEMORY CELLS INDIVIDUALLY COMPRISING A PROGRAMMABLE CHARGE STORAGE TRANSISTOR COMPRISING A CONTROL GATE AND A CHARGE STORAGE STRUCTURE
(FR) CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE COMPRENANT INDIVIDUELLEMENT UN TRANSISTOR DE STOCKAGE DE CHARGE PROGRAMMABLE COMPRENANT UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE STRUCTURE DE STOCKAGE DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE COMPRENANT INDIVIDUELLEMENT UN TRANSISTOR DE STOCKAGE DE CHARGE PROGRAMMABLE COMPRENANT UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE STRUCTURE DE STOCKAGE DE CHARGE
Abrégé :
(EN) A method of forming a vertical string of memory cells comprises forming a lower stack comprising first alternating tiers comprising vertically-alternating control gate material and insulating material. An upper stack is formed over the lower stack, and comprises second alternating tiers comprising vertically- alternating control gate material and insulating material having an upper opening extending elevationally through multiple of the second alternating tiers. The lower stack comprises a lower opening extending elevationally through multiple of the first alternating tiers and that is occluded by occluding material. At least a portion of the upper opening is elevationally over the occluded lower opening. The occluding material that occludes the lower opening is removed to form an interconnected opening comprising the unoccluded lower opening and the upper opening. Charge storage material is deposited into the interconnected opening for the charge storage structures for the memory cells of the vertical string that are in each of the upper and lower stacks and thereafter tunnel insulator and channel material are formed into the interconnected opening for the memory cells of the vertical string that are in each of the upper and lower stack. Other embodiments are disclosed, including embodiments independent of method.
(FR) Un procédé de formation d'une chaîne verticale de cellules de mémoire comprend la formation d'un empilement inférieur comprenant des premiers niveaux alternés comprenant un matériau de grille de commande alternant verticalement et un matériau isolant. Un empilement supérieur est formé sur l'empilement inférieur, et comprend des seconds niveaux alternés comprenant un matériau de grille de commande alternant verticalement et un matériau isolant ayant une ouverture supérieure s'étendant en altitude à travers plusieurs des seconds niveaux alternés. L'empilement inférieur comprend une ouverture inférieure s'étendant en altitude à travers plusieurs des premiers étages alternés et qui est occluse par un matériau d'occlusion. Au moins une portion de l'ouverture supérieure se trouve en élévation au-dessus de l'ouverture inférieure occluse. Le matériau d'occlusion qui obstrue l'ouverture inférieure est retiré pour former une ouverture interconnectée comprenant l'ouverture inférieure non occluse et l'ouverture supérieure. Un matériau de stockage de charge est déposé dans l'ouverture interconnectée pour les structures de stockage de charge pour les cellules de mémoire de la chaîne verticale qui se trouvent dans chacune des piles supérieure et inférieure, puis un isolant de tunnel et un matériau de canal sont formés dans l'ouverture interconnectée pour les cellules de mémoire de la chaîne verticale qui se trouvent dans chacune des piles supérieure et inférieure. D'autres modes de réalisation sont décrits, y compris des modes de réalisation indépendants du procédé.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)