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1. (WO2018026579) REVÊTEMENTS D'ÉTANCHÉITÉ EMPÊCHANT LA PERTE DE SILICIUM LORS DE L'INFILTRATION À L'ÉTAT FONDU DE COMPOSITES CONTENANT DU SI
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N° de publication :    WO/2018/026579    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/043783
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
C04B 35/80 (2006.01), C04B 37/00 (2006.01), C04B 35/573 (2006.01), C04B 35/63 (2006.01), F01D 5/00 (2006.01), F01D 5/28 (2006.01), F01D 9/04 (2006.01), F01D 11/08 (2006.01), F01D 25/16 (2006.01), F02K 1/82 (2006.01), F02K 9/97 (2006.01), F23R 3/00 (2006.01), B32B 18/00 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345 (US)
Inventeurs : DUNN, Daniel Gene; (US).
CORMAN, Gregory Scot; (US).
WEAVER, Jared Hogg; (US)
Mandataire : OVERBECK, Brian P.; (US).
GNIBUS, Michael, M.; (US).
MIDGLEY, Stephen, G.; (US).
WINTER, Catherine, J.; (US).
DIMAURO, Peter, T.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/228,693 04.08.2016 US
Titre (EN) SEAL COATS TO PREVENT SILICON LOSS DURING RE-MELT INFILTRATION OF SI CONTAINING COMPOSITES
(FR) REVÊTEMENTS D'ÉTANCHÉITÉ EMPÊCHANT LA PERTE DE SILICIUM LORS DE L'INFILTRATION À L'ÉTAT FONDU DE COMPOSITES CONTENANT DU SI
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method including obtaining ceramic matrix composite (CMC) with a first matrix portion including a silicon carbide and silicon phase dispersed therewithin, disposing a coating thereupon to form a sealed part, and forming thereupon another segment comprising a CMC, which may be another matrix portion including a silicon carbide and a silicon phase dispersed within therewithin. Also provided is a gas turbine component with a CMC segment (210) including a matrix portion including a silicon carbide and a silicon phase dispersed therewithin, a sealing layer (230) including silicon carbide enclosing the first segment (210), and a second segment (250) on the sealing layer (230), wherein the second segment (250) includes a melt-infiltrated CMC having a matrix portion including a silicon carbide and a silicon phase dispersed therewithin.
(FR)L'invention concerne un procédé comprenant l'obtention d'un composite à matrice céramique (CMC) comportant une première partie de matrice dans laquelle sont dispersés un carbure de silicium et une phase de silicium, la mise en place d'un revêtement sur celle-ci pour former une partie scellée, et la formation par-dessus d'un autre segment comprenant un CMC, qui peut être une autre partie de matrice dans laquelle sont dispersés un carbure de silicium et une phase de silicium. L'invention porte également sur un composant de turbine à gaz possédant un segment CMC (210) comprenant une partie de matrice dans laquelle sont dispersés un carbure de silicium et une phase silicium, une couche d'étanchéité (230) comprenant du carbure de silicium enfermant le premier segment (210), et un second segment (250) sur la couche d'étanchéité (230), le second segment (250) comprenant un CMC infiltré à l'état fondu ayant une partie de matrice dans laquelle sont dispersés un carbure de silicium et une phase de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)