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1. (WO2018026458) DÉCALAGE EFFICACE D'UN AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION POUR REDONDANCE DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/026458 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040746
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 05.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 01.03.2018
CIB :
G11C 29/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GHOSH, Sonia; US
JUNG, Changho; US
Mandataire :
HALLMAN, Jonathan W.; US
Données relatives à la priorité :
15/225,74401.08.2016US
Titre (EN) EFFICIENT SENSE AMPLIFIER SHIFTING FOR MEMORY REDUNDANCY
(FR) DÉCALAGE EFFICACE D'UN AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION POUR REDONDANCE DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) A memory includes a plurality of columns and a redundant column. The memory includes a plurality of multiplexers corresponding to the plurality of columns. Depending upon the location of a defect, the multiplexers are configured to select for their corresponding column or an immediately-subsequent column to their corresponding column.
(FR) L'invention porte sur une mémoire comprenant une pluralité de colonnes et une colonne redondante. La mémoire comprend une pluralité de multiplexeurs correspondant à la pluralité de colonnes. En fonction de l'emplacement d'un défaut, les multiplexeurs sont configurés pour sélectionner leur colonne correspondante ou une colonne suivante juste après leur colonne correspondante.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)