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1. (WO2018026421) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE À COUCHES D'ISOLATION D'ÉPAISSEUR DIFFÉRENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/026421    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/034172
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
H01L 27/11548 (2017.01), H01L 27/11575 (2017.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : TSUTSUMI, Masanori; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US).
COHN, Joanna; (US).
CONNOR, David; (US).
GAUL, Allison; (US).
GAYOSO, Tony; (US).
GERETY, Todd; (US).
GILL, Matthew; (US).
GREGORY, Shaun D.; (US).
HANSEN, Robert; (US).
HUANG, Stephen; (US).
HYAMS, David; (US).
JOHNSON, Timothy; (US).
MAZAHERY, Benjamin; (US).
MURPHY, Timothy; (US).
NGUYEN, Jaqueline; (US).
O'BRIEN, Michelle; (US).
PARK, Byeongju; (US).
RUTT, Steven; (US).
SIMON, Phyllis; (US).
SULSKY, Martin; (US).
GEMMEL, Elizabeth; (US)
Données relatives à la priorité :
15/226,132 02.08.2016 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH DIFFERENT THICKNESS INSULATING LAYERS AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE À COUCHES D'ISOLATION D'ÉPAISSEUR DIFFÉRENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, memory stack structures including a memory film and a vertical semiconductor channel and extending through a first region of the alternating stack, and support pillar structures extending through a second region of the alternating stack that is laterally offset from the first region. Each insulating layer includes a respective first insulating material portion having a respective first insulator thickness in the first region of the alternating stack and a respective second insulating material portion having a respective second insulator thickness that is greater than the respective first insulator thickness in the second region.
(FR)Un dispositif de mémoire tridimensionnelle comprend un empilement alterné de couches isolantes et de couches électro-conductrices situées sur un substrat, des structures de piles de mémoire comprenant un film de mémoire et un canal vertical à semi-conducteurs et s'étendant à travers une première région de la pile alternée, et des structures de pilier de support s'étendant à travers une seconde région de la pile alternée qui est décalée latéralement par rapport à la première région. Chaque couche isolante comprend une première portion de matériau isolant respective ayant une première épaisseur d'isolant respective dans la première région de l'empilement alterné et une seconde portion de matériau isolant respective ayant une seconde épaisseur d'isolant respective qui est supérieure à la première épaisseur d'isolant respective dans la seconde région.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)