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1. (WO2018026251) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE NETTOYAGE D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/026251 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/008515
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
무진전자 주식회사 MUJIN ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 은행로 3 10층 10F 3, Eunhaeng-ro Yeongdeungpo-gu Seoul 07237, KR
Inventeurs :
이길광 LEE, Gil Gwang; KR
윤용혁 YOON, Yong Hyeock; KR
Mandataire :
안상정 AN, Sang Jeong; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-009995805.08.2016KR
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE NETTOYAGE D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치
Abrégé :
(EN) The present disclosure relates to a method for cleaning a semiconductor wafer, comprising the steps of: preparing a wafer; dry-cleaning the wafer; and wet-cleaning the wafer, wherein the wafer is heated during the step of wet-cleaning the wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'une tranche de semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : préparer une tranche ; nettoyer à sec la tranche ; et nettoyer par voie humide la tranche, la tranche étant chauffée pendant l'étape de nettoyage par voie humide de la tranche.
(KO) 본 개시는 반도체 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 준비하는 단계; 웨이퍼를 건식 세정 하는 단계;그리고, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;를 포함하며, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;에서, 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)