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1. (WO2018025849) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE
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N° de publication :    WO/2018/025849    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/027864
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 01.08.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.04.2018    
CIB :
H01J 37/04 (2006.01), H01J 37/141 (2006.01), H01J 37/18 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : MATSUSADA PRECISION, INC. [JP/JP]; 745, Aojicho, Kusatsu-shi, Shiga 5250041 (JP)
Inventeurs : KUMAMOTO, Kazuya; (JP).
MATSUDA, Sadayoshi; (JP)
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-152199 02.08.2016 JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE
(JA) 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡
Abrégé : front page image
(EN)This charged particle beam device comprises an electron source (11) emitting a primary electron beam (12), an upper objective lens (18) and a lower objective lens (26) focusing the primary electron beam (12) emitted from the electron source (11) onto a sample, a sample stage (24) whereon the sample (23) is placed, and a shielding electrode (51) and an electric potential plate (22) allowing the primary electron beam (12) to pass therethrough. Disposed from the sample stage side are the shielding electrode (51) and the electric potential plate (22) in this order. An electric potential difference is applied between the sample stage (24) and the electric potential plate (22). An electric potential is applied to the shielding electrode (51) to mitigate the electric field arising in the sample (23) due to the electric potential difference.
(FR)Ce dispositif à faisceau de particules chargées comprend une source d'électrons (11) émettant un faisceau d'électrons primaire (12), une lentille de focalisation supérieure (18) et une lentille de focalisation inférieure (26) focalisant le faisceau d'électrons primaire (12) émis par la source d'électrons (11) sur un échantillon, un étage d'échantillon (24) sur lequel est placé l'échantillon (23), et une électrode de blindage (51) ainsi qu'une plaque de potentiel électrique (22) permettant au faisceau d'électrons primaire (12) de passer à travers celles-ci. L'électrode de blindage (51) et la plaque de potentiel électrique (22) sont disposées dans cet ordre du côté de l'étage d'échantillon. Une différence de potentiel électrique est appliquée entre l'étage d'échantillon (24) et la plaque de potentiel électrique (22). Un potentiel électrique est appliqué à l'électrode de blindage (51) afin d'atténuer le champ électrique apparaissant dans l'échantillon (23) en raison de la différence de potentiel électrique.
(JA)一次電子線(12)を放出する電子源(11)と、電子源(11)から放出される一次電子線(12)を試料に集束させる上部対物レンズ(18)及び下部対物レンズ(26)と、試料(23)を載置する試料台(24)と、一次電子線(12)を通過させるシールド電極(51)及び電位板(22)とを備え、試料台側から、シールド電極(51)及び電位板(22)は、この順で配置されており、試料台(24)と電位板(22)との間には電位差が与えられ、シールド電極(51)には、電位差により試料(23)に生じる電界を緩和する電位が印加される荷電粒子線装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)