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1. (WO2018025820) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/025820 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027769
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,A61B 6/00 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H04N 5/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
B
DIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
6
Appareils pour diagnostic par radiations, p.ex. combinés avec un équipement de thérapie par radiations
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
20
avec des détecteurs à scintillation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
32
Transformation des rayons X
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : MISAKI, Katsunori; --
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; JP
MATSUYAMA Takao; JP
Données relatives à la priorité :
2016-15304703.08.2016JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING PANEL
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are an X-ray imaging panel that is capable of suppressing off-leakage current, and a method for manufacturing the imaging panel. An imaging panel 1 generates an image on the basis of scintillation light acquired from X-rays that have passed through an object. The imaging panel 1 is provided with, on a substrate 101; a thin-film transistor 13; an insulating resin film 104 that is provided on the thin-film transistor 13; an insulating protective film 20 and a lower electrode 14a that are provided on the insulating resin film 104; a photoelectric conversion layer 15 that is provided on the lower electrode 104a; and an upper electrode 14b that is provided on the photoelectric conversion layer 15. The insulating resin film 104 has an opening CH1 on a drain electrode 13d, and the insulating protective film 20 is arranged so as to be separated outside the opening CH1. The lower electrode 14a partially overlaps the insulating protective film 20, and is connected at the opening CH1 to the drain electrode 13d. The insulating resin film 104 is covered with the lower electrode 14a and/or the insulating protective film 20 in a region where the photoelectric conversion layer 15 is provided.
(FR) L'invention porte sur un panneau d'imagerie par rayons X qui est capable de supprimer un courant de fuite, et sur un procédé de fabrication du panneau d'imagerie. Un panneau d'imagerie 1 génère une image sur la base de la lumière de scintillation acquise à partir de rayons X qui ont traversé un objet. Le panneau d'imagerie 1 est pourvu, sur un substrat 101, d'un transistor à couche mince 13, d'une couche mince de résine isolante 104 disposé sur le transistor à couche mince 13; une couche mince protectrice isolante 20 et une électrode inférieure 14a qui sont disposés sur la couche mince de résine isolante 104; une couche de conversion photoélectrique 15 qui est disposée sur l'électrode inférieure 104; et une électrode supérieure 14b qui est disposée sur la couche de conversion photoélectrique 15. La couche mince de résine isolante 104 présente une ouverture CH1 sur une électrode de drain 13d, et une couche mince protectrice isolante 20 est disposé de manière à être séparé à l'extérieur de l'ouverture CH1. L'électrode inférieure 14a chevauche partiellement la couche mince protectrice isolante 20, et est connectée au niveau de ouverture CH1 à l'électrode de drain 13d. La couche mince de résine isolante 104 est recouvert par l'électrode inférieure 14a et/ou la couche mince protectrice isolante 20 dans une région où la couche de conversion photoélectrique 15 est prévue.
(JA) オフリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供する。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13の上に設けられた絶縁性樹脂膜104と、絶縁性樹脂膜104の上に設けられた絶縁性保護膜20及び下部電極14aと、下部電極14aの上に設けられた光電変換層15と、光電変換層15の上に設けられた上部電極14bと、を備える。絶縁性樹脂膜104は、ドレイン電極13dの上に開口部CH1を有し、絶縁性保護膜20は、開口部CH1の外側に離間して配置される。下部電極14aは、絶縁性保護膜20の一部と重なり、開口部CH1においてドレイン電極13dと接続される。絶縁性樹脂膜104は、光電変換層15が設けられる領域において、下部電極14aと絶縁性保護膜20の少なくとも一方によって覆われている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)