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1. (WO2018025746) FILM DE CONVERSION DE CHARGE DE TYPE ROTATIF DE DISPOSITIF DE CONVERSION DE CHARGE DE FAISCEAU D'IONS ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE CHARGE DE FAISCEAU D'IONS
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N° de publication : WO/2018/025746 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027254
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 27.07.2017
CIB :
G21K 1/14 (2006.01) ,C01B 32/182 (2017.01) ,G21K 1/00 (2006.01) ,G21K 5/08 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION[JP/JP]; 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
RIKEN[JP/JP]; 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198, JP
Inventeurs : MURAKAMI, Mutsuaki; JP
TACHIBANA, Masamitsu; JP
TATAMI, Atsushi; JP
HASEBE, Hiroo; JP
Mandataire : UEKI, Kyuichi; JP
UEKI, Hisahiko; JP
SUGAWA, Tadashi; JP
ITO, Hiroaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-15429905.08.2016JP
Titre (EN) ROTATING TYPE CHARGE CONVERTING FILM OF ION BEAM CHARGE CONVERTING DEVICE AND ION BEAM CHARGE CONVERTING METHOD
(FR) FILM DE CONVERSION DE CHARGE DE TYPE ROTATIF DE DISPOSITIF DE CONVERSION DE CHARGE DE FAISCEAU D'IONS ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE CHARGE DE FAISCEAU D'IONS
(JA) イオンビーム荷電変換装置の回転式荷電変換膜及びイオンビーム荷電変換方法
Abrégé : front page image
(EN) The objective of the present invention is to provide a charge converting film of an ion beam charge converting device which has high heat resistance and no toxicity, with which there is no risk of activation, with which an ion beam can be made multivalent even with a thin film, and which is resistant to high-energy beam irradiation over an extended period of time. This rotating type charge converting film is a charge converting film used in a device which converts an ion beam charge, wherein the charge converting film comprises a carbon film having a thermal conductivity at least equal to 20 W/mK in the film surface direction at 25ºC, and the film thickness of the carbon film is more than 3 µm and less than 10 µm. Further, the rotating type charge converting film is a charge converting film used in a device which converts an ion beam charge, wherein the charge converting film comprises a carbon film manufactured by means of a polymer baking method, and the film thickness of the carbon film is more than 3 µm and less than 10 µm.
(FR) La présente invention concerne un film de conversion de charge d'un dispositif de conversion de charge de faisceau d'ions qui présente une haute résistance à la chaleur et aucune toxicité, qui ne présente pas de risque d'activation, au moyen duquel un faisceau d'ions peut être rendu polyvalent même avec un film mince, et qui résiste à une irradiation de faisceau d'énergie élevée sur une période de temps prolongée. Ce film de conversion de charge de type rotatif est un film de conversion de charge utilisé dans un dispositif qui convertit une charge de faisceau d'ions, le film de conversion de charge comprenant un film de carbone ayant une conductivité thermique au moins égale à 20 W/mK dans le sens de la surface du film à 25 °C, et l'épaisseur de film du film de carbone est supérieure à 3 µm et inférieure à 10 µm. En outre, le film de conversion de charge de type rotatif est un film de conversion de charge utilisé dans un dispositif qui convertit une charge de faisceau d'ions, le film de conversion de charge comprenant un film de carbone fabriqué au moyen d'un procédé de cuisson de polymère, et l'épaisseur de film du film de carbone étant supérieure à 3 µm et inférieure à 10 µm.
(JA) 耐熱性が高く、毒性がなく、放射化の心配がないとともに、膜厚が薄くてもイオンビームを多価化でき、かつ高エネルギーのビーム照射にも長期間耐えうるイオンビーム荷電変換装置の荷電変換膜を提供することを目的とする。イオンビームの荷電を変換する装置に用いられる荷電変換膜であって、25℃における膜面方向の熱伝導度が20W/mK以上である炭素膜からなり、該炭素膜の膜厚は3μm超、かつ10μm未満である回転式荷電変換膜である。また、イオンビームの荷電を変換する装置に用いられる荷電変換膜であって、高分子焼成法により製造された炭素膜からなり、該炭素膜の膜厚は3μm超、かつ10μm未満である回転式荷電変換膜である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)