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1. (WO2018025694) COMPOSANT DE FILTRE AYANT UNE FONCTION DE PROTECTION ESD
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N° de publication :    WO/2018/025694    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/026755
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
H03H 7/075 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : NAKAISO Toshiyuki; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-150963 01.08.2016 JP
Titre (EN) FILTER COMPONENT HAVING ESD PROTECTION FUNCTION
(FR) COMPOSANT DE FILTRE AYANT UNE FONCTION DE PROTECTION ESD
(JA) ESD保護機能付きフィルタ部品
Abrégé : front page image
(EN)A filter component (10) having an ESD protection function is provided with a mounting type inductor component (20) and a base substrate (30). An ESD protection element (40) and a capacitor (50) are formed in the base substrate (30). The base substrate (30) has a semiconductor substrate (31), a front surface side rewiring layer (322), and a back surface side rewiring layer (321). A first mounting component connection terminal conductor (341) and a second mounting component connection terminal conductor (342), to which the mounting type inductor component (20) is connected, are formed on the outer surface of the front surface side rewiring layer (322). A first external connection terminal conductor (331), a second external connection terminal conductor (332), and a third external connection terminal conductor (333) are formed on the outer surface of the back surface side rewiring layer (321). The ESD protection element (40) is formed on the semiconductor substrate (31). The capacitor (50) is formed in the front surface side rewiring layer (322) or in the back surface side rewiring layer (321).
(FR)La présente invention concerne un composant de filtre (10) ayant une fonction de protection ESD pourvu d'un composant inducteur de type montage (20) et d'un substrat de base (30). Un élément de protection ESD (40) et un condensateur (50) sont formés dans le substrat de base (30). Le substrat de base (30) comporte un substrat semi-conducteur (31), une couche de recâblage côté surface avant (322) et une couche de recâblage côté surface arrière (321). Un premier conducteur de borne de connexion de composant de montage (341) et un second conducteur de borne de connexion de composant de montage (342), auxquels le composant inducteur de type de montage (20) est connecté, sont formés sur la surface externe de la couche de recâblage côté surface avant (322). Un premier conducteur de borne de connexion externe (331), un deuxième conducteur de borne de connexion externe (332), et un troisième conducteur de borne de connexion externe (333) sont formés sur la surface externe de la couche de recâblage côté surface arrière (321). L'élément de protection ESD (40) est formé sur le substrat semi-conducteur (31). Le condensateur (50) est formé dans la couche de recâblage côté surface avant (322) ou dans la couche de recâblage côté surface arrière (321).
(JA)ESD保護機能付きフィルタ部品(10)は、実装型インダクタ部品(20)およびベース基板(30)を備える。ベース基板(30)には、ESD保護素子(40)とキャパシタ(50)とが形成されている。ベース基板(30)は、半導体基板(31)、表面側再配線層(322)、および裏面側再配線層(321)を備える。表面側再配線層(322)の外面には、実装型インダクタ部品(20)が接続される第1実装部品用接続端子導体(341)と第2実装部品用接続端子導体(342)とが形成されている。裏面側再配線層(321)の外面には、第1外部接続用端子導体(331)、第2外部接続用端子導体(332)、および、第3外部接続用端子導体(333)が形成されている。ESD保護素子(40)は、半導体基板(31)に形成されている。キャパシタ(50)は、表面側再配線層(322)の内部または裏面側再配線層(321)の内部に形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)