Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018025643) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/025643 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/026187
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 20.07.2017
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO.,LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
松山 謙太 MATSUYAMA Kenta; --
藤田 和範 FUJITA Kazunori; --
嶋田 聡 SHIMADA Satoru; --
Mandataire :
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI PATENT ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-15344504.08.2016JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
Abrégé :
(EN) A solar cell 10 according to one embodiment of the present invention is provided with: an n-type crystalline silicon wafer 12 having an n+ layer 12a in the entire wafer surface and in the vicinity thereof, said n+ layer 12a having a higher n-type dopant concentration than the other regions; a low concentration P-containing silicon oxide layer 13 which is formed on a light receiving surface S1 of the n-type crystalline silicon wafer 12; an n-type crystalline silicon layer 14 which is formed on the low concentration P-containing silicon oxide layer 13; and a p-type amorphous silicon layer 16 which is formed on the back surface side of the n-type crystalline silicon wafer 12.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne une cellule solaire (10) qui est pourvue : d'une tranche de silicium cristallin de type n (12) présentant une couche n+ (12a) sur la totalité de la surface de la tranche et à proximité de cette dernière, ladite couche n+ (12a) possédant une concentration en dopant de type n supérieure à la concentration en dopant de type n des autres régions ; d'une couche d'oxyde de silicium contenant du P à faible concentration (13), formée sur une surface réceptrice de lumière (S1) de la tranche de silicium cristallin de type n (12) ; d'une couche de silicium cristallin de type n (14) formée sur la couche d'oxyde de silicium contenant du P à faible concentration (13) ; d'une couche de silicium amorphe de type p (16) formée sur le côté de surface arrière de la tranche de silicium cristallin de type n (12).
(JA) 実施形態の一例である太陽電池セル10は、ウェーハ表面の全体およびその近傍に、他の領域よりn型ドーパントの濃度が高いn+層12aを有するn型結晶性シリコンウェーハ12と、n型結晶性シリコンウェーハ12の受光面S1上に形成された低濃度P含有酸化シリコン層13と、低濃度P含有酸化シリコン層13上に形成されたn型結晶性シリコン層14と、n型結晶性シリコンウェーハ12の裏面側に形成されたp型非晶質シリコン層16とを備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)