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1. (WO2018025539) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE DE LINGOT DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/025539    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/023606
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 27.06.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 27/06 (2006.01), B28D 5/04 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : HASHIMOTO Daisuke; (JP).
TAJIRI Tomoaki; (JP).
MATAGAWA Satoshi; (JP).
NAKASHIMA Akira; (JP).
ETOU Yoshihiro; (JP)
Mandataire : SUGIMURA Kenji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-153488 04.08.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR CUTTING SILICON INGOT, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE DE LINGOT DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンインゴットの切断方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)Proposed is a method for suppressing contamination by nickel to less than the detection limit when cutting a silicon ingot having a diameter exceeding 300 mm using a fixed abrasive wire saw. A method for feeding a silicon ingot having a diameter exceeding 300 mm so as to press the silicon ingot against at least one fixed abrasive wire saw in which a plurality of abrasive grains are fixed onto the surface of a wire while running the fixed abrasive wire saw, and cutting the silicon ingot, wherein the method is characterized in that the cutting of the silicon ingot is performed in a cutting time of 30 hours or less.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de supprimer la contamination par le nickel pour obtenir une valeur inférieure à la limite de détection lors de la découpe d'un lingot de silicium ayant un diamètre supérieur à 300 mm à l'aide d'une scie à fil abrasif fixe. L'invention concerne également un procédé d'alimentation d'un lingot de silicium ayant un diamètre supérieur à 300 mm de manière à presser le lingot de silicium contre au moins une scie à fil abrasif fixe dans laquelle une pluralité de grains abrasifs sont fixés sur la surface d'un fil tout en déplaçant la scie à fil abrasif fixe, et de découpe du lingot de silicium, le procédé étant caractérisé en ce que la découpe du lingot de silicium est réalisée en un temps de découpe inférieur ou égal à 30 heures.
(JA)固定砥粒ワイヤーソーを用いて300mmを超える直径を有するシリコンインゴットを切断する際に、ニッケルによる汚染を検出限界未満に抑制することができる方法を提案する。300mmを超える直径を有するシリコンインゴットを、素線の表面に複数の砥粒が固定された固定砥粒ワイヤーを少なくとも1本走行させつつ上記固定砥粒ワイヤーに押し当てて送り込み、上記シリコンインゴットを切断する方法において、上記シリコンインゴットの切断は、30時間以下の切断時間で行うことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)