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1. (WO2018025188) CELLULES SOLAIRES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS
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N° de publication :    WO/2018/025188    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/054710
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 01.08.2017
CIB :
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal 23955-6900 (SA)
Inventeurs : HE, Jr-Hau; (SA).
TSAI, Meng-Lin; (SA)
Données relatives à la priorité :
62/369,566 01.08.2016 US
Titre (EN) SOLAR CELLS AND METHODS OF MAKING SOLAR CELLS
(FR) CELLULES SOLAIRES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe a solar cell comprising a first monolayer and a second monolayer, the first monolayer and the second monolayer forming a monolayer p-n lateral heterojunction with an atomically sharp interface; and a substrate, the substrate and the monolayer p-n lateral heterojunction forming a solar cell. Embodiments of the present disclosure further describe a method of making a solar cell comprising growing a first monolayer on a first substrate; growing a second monolayer on the first substrate sufficient to form a monolayer p-n lateral heterojunction with an atomically sharp interface; and transferring the monolayer p-n lateral heterojunction from the first substrate to a second substrate sufficient to form a solar cell.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne une cellule solaire comprenant : des première et seconde monocouches formant une hétérojonction latérale p-n monocouche avec une interface atomiquement aiguisée; et un substrat formant une cellule solaire avec l'hétérojonction latérale monocouche p-n. Des modes de réalisation de l'invention concernent en outre un procédé de fabrication d'une cellule solaire consistant : à faire croître une première monocouche sur un premier substrat; à faire croître une seconde monocouche sur le premier substrat suffisante à la formation d'une hétérojonction latérale p-n monocouche avec une interface atomiquement pointue; et à transférer l'hétérojonction latérale p-n monocouche du premier substrat vers un second substrat suffisant à la formation d'une cellule solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)