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1. (WO2018025166) TRANCHE DE GERMES POUR L'ÉPAISSISSEMENT DE GAN PAR ÉPITAXIE EN PHASE GAZEUSE OU LIQUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/025166 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/054668
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
C30B 25/18 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : QMAT, INC.[US/US]; 2424 Walsh Avenue Santa Clara, California 95051, US
Inventeurs : HENLEY, Francois J.; US
Données relatives à la priorité :
15/662,20127.07.2017US
62/370,16902.08.2016US
62/378,12622.08.2016US
Titre (EN) SEED WAFER FOR GAN THICKENING USING GAS- OR LIQUID-PHASE EPITAXY
(FR) TRANCHE DE GERMES POUR L'ÉPAISSISSEMENT DE GAN PAR ÉPITAXIE EN PHASE GAZEUSE OU LIQUIDE
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments relate to fabricating a wafer including a thin, high-quality single crystal GaN layer serving as a template for formation of additional GaN material. A bulk ingot of GaN material is subjected to implantation to form a subsurface cleave region. The implanted bulk material is bonded to a substrate having lattice and/or Coefficient of Thermal Expansion (CTE) properties compatible with GaN. Examples of such substrate materials can include but are not limited to AlN and Mullite. The GaN seed layer is transferred by a controlled cleaving process from the implanted bulk material to the substrate surface. The resulting combination of the substrate and the GaN seed layer, can form a template for subsequent growth of overlying high quality GaN. Growth of high-quality GaN can take place utilizing techniques such as Liquid Phase Epitaxy (LPE) or gas phase epitaxy, e.g., Metallo-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) or Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE).
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent la fabrication d'une tranche comprenant une couche de GaN monocristallin de qualité élevée et mince servant de gabarit pour la formation de matériau de type GaN supplémentaire. Un lingot massique de matériau de type GaN est soumis à une implantation pour former une région de clivage sous la surface. Le matériau massique implanté est lié à un substrat présentant des propriétés de réseau et/ou de coefficient de dilatation thermique (CDT) compatibles à celles du GaN. Des exemples de tels matériaux de substrat peuvent comprendre, mais sans y être limités, l'AlN et la mullite. La couche de germes de GaN est transférée par un procédé de clivage régulé depuis le matériau massique implanté à la surface du substrat. La combinaison résultante du substrat et de la couche de germes de GaN peut former un gabarit pour la croissance ultérieure de GaN de haute qualité superposée. La croissance de GaN de haute qualité peut avoir lieu à l'aide de techniques telles que l'épitaxie en phase liquide (EPL) ou l'épitaxie en phase gazeuse, par exemple, dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) ou épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)