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1. (WO2018024406) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE COMMUTATEURS À SEMI-CONDUCTEUR À CONDUCTION INVERSE DISPOSÉS EN PARALLÈLES
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N° de publication :    WO/2018/024406    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/065624
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 26.06.2017
CIB :
H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München (DE)
Inventeurs : FLEISCH, Karl; (DE)
Données relatives à la priorité :
16182202.8 01.08.2016 EP
Titre (DE) VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG PARALLEL ANGEORDNETER, RÜCKWÄRTS LEITFÄHIGER HALBLEITERSCHALTER
(EN) METHOD FOR ACTUATING REVERSE-CONDUCTING SEMICONDUCTOR SWITCHES ARRANGED IN PARALLEL
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE COMMUTATEURS À SEMI-CONDUCTEUR À CONDUCTION INVERSE DISPOSÉS EN PARALLÈLES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ansteuerung mindestens zweier rückwärts leitfähiger Halbleiterschalter (1), wobei die mindestens zwei rückwärts leitfähigen Halbleiterschalter (1) in einer Parallelschaltung (2) angeordnet sind. Zur Verbesserung des Schaltverhaltens wird vorgeschlagen, zumindest zwei der in einer Parallelschaltung angeordneten rückwärts leitfähigen Halbleiterschalter (1) zumindest zeitweise mit einer unterschiedlichen Spannung anzusteuern. Die Erfindung betrifft weiter Schaltelement (3) mit zwei in einer Parallelschaltung (2) angeordneten rückwärts leitfähigen Halbleiterschalter (1) und einer Ansteuereinheit (4) oder zumindest einem Teil (5) einer Ansteuereinheit (4) zur Ansteuerung der rückwärts leitfähigen Halbleiterschalter (1), wobei ein Stromsensor (6) zur Erfassung eines durch die Parallelschaltung (2) fließenden Laststroms (iL) mit einer Regelungsbaugruppe (7) zur Auswertung von Messwerten des Stromsensors (6) verbindbar ist, wobei mittels der Ansteuereinheit (4) oder mittels des Teils (5) der Ansteuereinheit (4) die einzelnen rückwärts leitfähigen Halbleiterschalter (1) jeweils mit unterschiedlichen Spannungen ansteuerbar sind.
(EN)The invention relates to a method for actuating at least two reverse-conducting semiconductor switches (1), the at least two reverse-conducting semiconductor switches (1) being arranged in a parallel circuit (2). To improve the switching response, it is proposed that at least two of the reverse-conducting semiconductor switches (1) arranged in a parallel circuit be actuated at least intermittently using a different voltage. The invention further relates to a switching element (3) having two reverse-conducting semiconductor switches (1) arranged in a parallel circuit (2) and an actuating unit (4) or at least a part (5) of an actuating unit (4) for actuating the reverse-conducting semiconductor switches (1), wherein a current sensor (6) for detecting a load current (iL) flowing through the parallel circuit (2) is connectable to a control assembly (7) for evaluating measured values of the current sensor (6), the actuating unit (4) or the part (5) of the actuating unit (4) being able to be used to actuate the individual reverse-conducting semiconductor switches (1) using different voltages in each case.
(FR)L’invention concerne un procédé de commande d’au moins deux commutateurs à semi-conducteur (1) à conduction inverse. Les au moins deux commutateurs à semi-conducteur (1) à conduction inverse sont disposés dans un circuit parallèle (2). Pour améliorer le comportement de commutation, il est proposé de commander au moins deux des commutateurs à semi-conducteur (1) à conduction inverse disposés dans un circuit parallèle au moins temporairement avec des tensions différentes. L’invention concerne également un élément de commutation (1) muni de deux commutateurs à semi-conducteur (1) à conduction inverse disposés dans un circuit parallèle (2) et d’une unité d’entraînement (4) ou d’au moins une partie (5) d’une unité d’entraînement (4) pour commander le commutateur à semi-conducteur (1) à conduction inverse. Un capteur de courant (6) destiné à détecter un courant de charge (iL) circulant dans le circuit parallèle (2) peut être relié à un module de régulation (7) pour évaluer des valeurs de mesure du capteur de courant (6). Les commutateurs à semi-conducteurs (1) à conduction inverse peuvent chacun être commandés avec des tensions différentes au moyen de l’unité de commande (4) ou au moyen de la partie (5) de l’unité d’entraînement (4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)